可聚合光产酸剂。一种化合物，具有结构式(I)：Q-O-(A)-Z-G+??(I)，其中Q是卤代或非卤代的含C2-30烯烃基团，A是氟代C1-30亚烷基、氟代C3-30亚环烷基、氟代C6-30亚芳基或氟代C7-30亚烷基-亚芳基，Z是包含磺酸盐、磺酰胺或磺酰亚胺的阴离子基团，以及G+具有结构式(II)：其中X是S或I，每个R0是卤代或非卤代的并独立地为C1-30烷基、多环或单环C3-30环烷基、多环或单环C4-30芳基或包含前述至少一种的组合，其中当X是S时，所述R0基团中的一个任选地通过单键与一个相邻的R0基团连接，并且a是2或3，其中当X是I时，a是2，或者当X是S时，a是3。公开了共聚物、光致抗蚀剂、涂覆的基材和图案化方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开的是可聚合为光致抗蚀剂聚合物的新型光产酸剂化合物和包含可聚合光产酸剂的光致抗蚀剂组合物。
技术介绍
当暴露在光谱紫外区(即，< 300nm)的辐射中时分解产生酸的化学化合物，又称光产酸剂，是用于微电子应用的化学增幅光致抗蚀剂中的聚合物“化学增幅”脱保护或交联的基础。然而，这些材料的分解产物的脱气可以涂覆和腐蚀用于这些光致抗蚀剂的曝光工具的光学器件，其中所述光学器件距离曝光的光致抗蚀剂可能仅几毫米远。尽管最新一代的光刻工具(在248nm和193nm工作)已经使用通过例如清洁光学器件和/或包含牺牲性阻隔或滤镜来限制脱气的破坏作用的方法以及使用反射性光学器件，但是工业上趋向于小于45nm的越来越小的分辨率，且开发在明显更短的波长(例如 13.5nm的深紫外线)工作以及使用先进反射光学器件的新工具与这些策略不一致。因此， 有兴趣在光致抗蚀剂的组合物水平控制脱气。另外，用在EUV波长的高级光致抗蚀剂需要控制线宽粗糙度，其与所述光致抗蚀剂组分的可扩散性有关。欧洲专利No. 2026616A2公开了当与具有乙烯基醚衍生的保护基的酚树脂一起使用时，具有有用的脱气性能的光产酸剂。所述光产酸剂基于硫:鐵阳离子，其具有连接到所述硫:鐵中心的芳基，优选包含至少一个羟基，以及每个芳基共同连接到所述硫,输中心的二芳基。虽然该文献中公开的光产酸剂相对于例如基于三苯基硫:鐵阳离子的光产酸剂表现出改善的脱气性，但实施例(特别是实施例I和9)表明脱气性得到改进的同时这些光产酸剂也可能损害线宽粗糙度。
技术实现思路
具有结构式(I)的化合物可以克服现有技术的上述和其它不足Q-O-(A) -Z^G+ (I)其中Q是卤代或非卤代的含C2_3(l烯烃的基团，A是氟代C1,亚烷基、氟代C3_3(l亚环烷基、氟代C6,亚芳基或氟代C7,亚烷基-亚芳基，Z是包含磺酸盐、磺酰胺或磺酰亚胺的阴离子基团，以及G+具有结构式(II)权利要求1.一种具有结构式(I)的化合物Q-O-(A) -Z^G+ (I)其中Q是卤代或非卤代的含C2_3(l烯烃的基团，A是氟代C1,亚烷基、氟代C3_3(l亚环烷基、氟代C6,亚芳基或氟代C7,亚烷基-亚芳基，Z是包含磺酸盐、磺酰胺或磺酰亚胺的阴离子基团，以及G+具有结构式(II)2.权利要求I所述的化合物，其中所述化合物具有结构式(III)或(IV)3.权利要求I的化合物，其中A是-b-C((R4)2)y(CF2)z-基团或邻位、间位或对位取代的-C6F4-基团，其中R3和R4各自独立地为H、F、(V6氟烷基或CV6烷基， b是O或1，X是1-10的整数，y和z独立地为0_10的整数，y+z的和至少为I。4.权利要求I的化合物，其中所述结构式(I)的化合物是5.权利要求I的化合物，其中G+具有结构式(V)、(VI)或(VII)6.权利要求I的化合物，其中结构式(I)的化合物选自具有以下结构式的化合物7.一种共聚物，所述共聚物包含由权利要求I的化合物形成的第一聚合单元、包含酸敏感官能团的第二聚合单元、和任选地包含极性基团的第三聚合单元。8.权利要求6的共聚物，其中所述由酸敏感单体形成的第二聚合单元包含形成的第三聚合单元选自以下9.一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包含权利要求6的共聚物。10.一种涂覆的基材，所述组合物包含(a)在其表面上具有待图案化的一个或多个涂层；和(b)在待图案化的一个或多个涂层上的权利要求9的光致抗蚀剂组合物层。11.一种形成电子设备的方法，所述方法包含(a)在基材上施加权利要求9的光致抗蚀剂组合物层；(b)所述光致抗蚀剂组合物于活化辐射中图案化曝光；和(C)显影所述曝光后的光致抗蚀剂组合物层以提供抗蚀剂浮雕图像。12.权利要求11的方法，其中所述辐射是深紫外线或电子束射线。全文摘要可聚合光产酸剂。一种化合物，具有结构式(I)Q-O-(A)-Z-G+ (I)，其中Q是卤代或非卤代的含C2-30烯烃基团，A是氟代C1-30亚烷基、氟代C3-30亚环烷基、氟代C6-30亚芳基或氟代C7-30亚烷基-亚芳基，Z是包含磺酸盐、磺酰胺或磺酰亚胺的阴离子基团，以及G+具有结构式(II)其中X是S或I，每个R0是卤代或非卤代的并独立地为C1-30烷基、多环或单环C3-30环烷基、多环或单环C4-30芳基或包含前述至少一种的组合，其中当X是S时，所述R0基团中的一个任选地通过单键与一个相邻的R0基团连接，并且a是2或3，其中当X是I时，a是2，或者当X是S时，a是3。公开了共聚物、光致抗蚀剂、涂覆的基材和图案化方法。文档编号C08F220/30GK102603579SQ20111046333公开日2012年7月25日 申请日期2011年12月31日 优先权日2010年12月31日专利技术者A·E·麦德考尔, J·F·卡梅伦, J·W·撒克里, O·昂格伊, P·J·拉博姆, S·M·科利, V·简恩 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司, 陶氏环球技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·W·撒克里，S·M·科利，V·简恩，O·昂格伊，J·F·卡梅伦，P·J·拉博姆，A·E·麦德考尔，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，陶氏环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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