【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管结构，尤其是指一种具有特殊电极结构的发光二极管芯片结构。
技术介绍
发光二极管(LED)具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的发光二极管，关键要提高器件的内量子效率和外量子效率。芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，其主要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大，导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。目前已经提出了几种提高芯片光提取效率的方法，主要包括改变芯片的几何外形，减少光在芯片内部的传播路程，降低光的吸收损耗，如采用倒金字塔结构；控制和改变自发辐射，通常采用谐振腔或光子晶体等结构；采用表面粗糙方法，使光在粗糙的半导体和空气界面发生漫射，增加其投射的机会等。可见，芯片结构的设计对提高发光二极管的发光效率至关重要。通常发光二极管的芯片结构为在蓝宝石等生长衬底上依次生长N型半导体层、有源层、P型半导体层的构造，并且设有与N型半导...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张楠，刘亚柱，陈诚，袁根如，郝茂盛，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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