制作起始层芯板的方法技术

一种制作起始层芯板的方法，包括：在载板上制作第一保护层；在所述第一保护层上制作第一种子层、初始线路层、层间导电柱、绝缘层以及第二种子层；在所述第二种子层上制作第二保护层；去除所述载板；去除所述第一保护层和所述第二保护层；所述第一保护层和所述第二保护层为锡保护层。该方法不仅可以避免初始线路层的缺口问题，提高起始层芯板的成品率，而且，还可以降低起始层芯板的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于印刷电路板领域，涉及一种芯板的制作方法，具体涉及制作无核封装基板时所采用的起始层芯板的制作方法。
技术介绍
电子技术的快速发展使得半导体器件的集成度越来越高，从而使封装基板逐渐由单层板向多层板发展，例如高密度PCB(印刷电路板)封装基板。为了提高PCB封装基板的集成度，采用层间连接技术将多层板连接，以在有限的空间获得较多可利用的布线面积。目前，制作PCB封装基板的方法包括有核增层法和无核增层法。然而，利用有核增层法制作的有核封装基板的厚度较厚，不利于封装基板向高集成化发展。而且，当需要加工厚度在60μπι以下的有核封装基板时，其成品率较低。因此，在实际应用中，广泛采用无核增层法来制作封装基板。无核增层法是在起始层芯板表面制作一层或多层线路层，从而形成封装基板。起始层芯板的具体制作过程如下首先采用电镀工艺在铜载板表面制作一层镍层，镍层为保护层；然后在镍层的表面电镀一层铜膜种子层；再利用图形转移方法在种子层上电镀初始线路层以及层间铜柱导通层；之后依次进行层压、磨板、种子层溅射镀膜、种子层电镀以及电镀镍层保护层；最后通过化学蚀刻的方法将铜载板以及镍层保护层去除掉，从而获得用于无核封装基板的起始层芯板。然而，采用上述工艺制作起始层芯板时存在以下缺点第一，电镀工艺制作的镍层保护层存在镍层疏孔问题，因此无法完全覆盖线路层， 在最后的化学蚀刻铜载板工艺时，容易造成线路层缺口，从而导致起始层芯板的报废；第二，为了克服镍层疏孔问题，往往需要较厚的镍层，这直接增加电镀镍层以及去除镍层的成本，从而导致始层芯板的制作成本较高，进而导致整个封装基板的制作成本较尚ο专利
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中的上述不足，提供一种，以提高起始层芯板的成品率，同时降低起始层芯板的制作成本。解决上述技术问题的所采用的技术方案是提供一种，包括在载板上制作第一保护层；在所述第一保护层上制作第一种子层、初始线路层、层间导电柱、绝缘层以及第二种子层；在所述第二种子层上制作第二保护层；去除所述载板；去除所述第一保护层和所述第二保护层；所述第一保护层和所述第二保护层中的至少一种保护层为锡保护层。优选地，所述锡保护层采用化学沉积或电镀方法制作。优选地，采用化学沉积制作所述锡保护层的步骤包括采用除油剂对所述载板除油；第一次水洗所述载板，优选用去离子水水洗；微蚀所述载板；第二次水洗所述载板，优选用去离子水水洗；和/或在所述载板表面预浸锡；化学沉锡。优选地，所述微蚀采用Na2SO4和溶液，时间为60 85msec，优选60 80msec，更加优选65 70msec ；和/或所述预浸锡在室温下，持续时间为1 2min，优选 2min ；和/或所述化学沉锡是在40 80°C，优选45 70°C，更加优选50 65°C的温度下进行；和/或沉锡时间为10 25min，优选15 20min。优选地，所述锡保护层的厚度为0.5 1.4 μ m，优选0.8 1.2 μ m。优选地，采用蚀刻方式去除所述第一和第二保护层。优选地，采用化学蚀刻或离子束蚀刻方式去除所述第一和第二保护层。更优选地，所述第一保护层和所述第二保护层的厚度相同。优选地，所述第一种子层和所述第二种子层采用化学沉积或溅射方式制作。优选地，在制作所述第一保护层之后和/或在制作所述第二保护层之后检测所述第一保护层和/或所述第二保护层的疏孔指数。本专利技术具有以下有益效果本专利技术提供的采用锡层作为保护层，由于锡保护层比较致密，较薄的锡保护层即可对初始线路层很好地保护，从而不存在疏孔问题，避免初始线路层的缺口问题，进而可以提高起始层芯板的成品率；而且，较薄的锡保护层还可以降低制作锡保护层以及去除锡保护层的成本，从而降低起始层芯板的制作成本。附图说明图Ia至图Ik为本专利技术所述的剖面示意图。 具体实施例方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的进行详细描述。本专利技术提供一种，包括在载板上制作第一保护层；在所述第一保护层上制作第一种子层、初始线路层、层间导电柱、绝缘层以及第二种子层；在所述第二种子层上制作第二保护层；去除所述载板；去除所述第一保护层和所述第二保护层；所述第一保护层和所述第二保护层中的至少一种保护层为锡保护层。优选地，在本专利技术的各实施例中，所述锡保护层采用化学沉积或电镀方法制作。优选地，在本专利技术的各实施例中，采用化学沉积制作所述锡保护层的步骤包括采用除油剂对所述载板除油；第一次水洗所述载板，优选用去离子水水洗；微蚀所述载板；第二次水洗所述载板，优选用去离子水水洗；和/或在所述载板表面预浸锡；化学沉锡。优选地，在本专利技术的各实施例中，包括以下特征中的至少一种所述微蚀采用Na2SO4和H2SO4溶液，时间为60 85msec，优选60 80msec，更加优选65 70msec ；禾口 /或所述预浸锡在室温下，持续时间为1 2min，优选^iin ；和/或所述化学沉锡是在40 80°C，优选45 70°C，更加优选50 65°C的温度下进行；和/或沉锡时间为10 25min，优选15 20min。优选地，在本专利技术的各实施例中，所述锡保护层的厚度为0. 5 1. 4 μ m，优选 0. 8 1· 2μπι。优选地，在本专利技术的各实施例中，采用蚀刻方式去除所述第一和第二保护层。优选地，在本专利技术的各实施例中，采用化学蚀刻或离子束蚀刻方式去除所述第一和第二保护层。更优选地，在本专利技术的各实施例中，所述第一保护层和所述第二保护层的厚度相同。优选地，在本专利技术的各实施例中，所述第一种子层和所述第二种子层采用化学沉积或溅射方式制作。优选地，在本专利技术的各实施例中，在制作所述第一保护层之后和/或在制作所述第二保护层之后检测所述第一保护层和/或所述第二保护层的疏孔指数(例如通过测量保护层的表面或近表面的孔隙率获得的保护层疏孔指数)。请参阅图Ia至图Ik为本专利技术所述的剖面示意图。本实施例包括步骤slOO，首先将合格的铜载板101清洗干净。请参阅图la，然后利用图形转移的方法，在铜载板101不需要制作初始线路层的一面整板贴附上一层抗电镀保护干膜，然后经过曝光、显影使干膜固化，从而在铜载板1形成一层能够抵抗电镀液腐蚀的第一抗电镀保护层102。步骤s200，请参阅图lb，利用化学沉锡方法在铜载板1上没有制作抗电镀保护层 102的一面制作第一锡保护层201。第一锡保护层201的厚度可以根据铜载板101的表面质量状况进行调节。通常，当铜载板101的表面质量较差时，第一锡保护层201的厚度相对较厚；当铜载板101的表面质量较好时，第一锡保护层201的厚度相对较薄。化学沉锡工艺的具体步骤及工艺参数如下首先采用酸性除油剂对铜载板101 除油清洗2 3min (分钟)，优选1. 5 aiiin ；再进行第一次水洗1 2min，优选2min， 和/或采用去离子水清洗；然后，在现有的Na2SO4和溶液中微蚀，微蚀时间为60 85msec (毫秒)，优选60 80msec，更加优选65 70msec ；第二次水洗1 2min，优选2min， 和/或采用去离子水清洗；和/或，在室温下，在预浸缸的沉锡溶液中持续放置1 2min， 优选2min，以对载板进行预浸锡；和/或，将铜载板101放入温度为40本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏新虹，朱兴华，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，
类型：发明
国别省市：