一种LED芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种LED芯片，所述N型电极（22）为阶梯结构；所述N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接；所述N型电极（22）的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜（13）上；所述N型电极（22）的上端位于最上方绝缘介质膜（13）之上并且向P型电极（21）的位置延伸，所述N型电极（22）的上端与第二PCB板（23）连接，所述N型电极（22）的上端与P型电极（21）存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面。本发明专利技术由于把LED芯片的N型电极与N型电极设置相同高度的或近似高度的共同锡焊面，因而增加了LED芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED芯片，尤其是涉及一种倒装结构的LED芯片。
技术介绍
在蓝宝石衬底上制作的蓝、绿或紫光LED芯片的发光面为外延材料的生长表面， 即P型表面。在LED的封装过程中，都把蓝宝石衬底面直接固定在散热板上。在LED的工作过程中，其发光区是器件发热的根源。由于蓝宝石衬底本身是一种绝缘体材料，且导热性能和GaN材料比较差，所以对这种正装的LED器件其工作电流都有一定的限制，以确保LED 的发光效率和工作寿命。为改善器件的散热性能，人们设计了一种LED芯片结构，即倒装结构的LED芯片。自从提出芯片的倒装设计之后，人们针对其可行性进行了大量的研究和探索。由于LED芯片设计的局限性，封装良率一直很低，原因如下第一、N型电极区域相对小，很难与PCB板的相应区域对位；第二、N型电极位置比P型电极位置高很多，很容易造成虚焊、脱焊情形；第三、为制作N型电极，往往要人为地去掉很大一部分有源区，这样大大地减少了器件的发光面积，直接影响了 LED发光效率。如图1所示，利用MOCVD、VPE、MBE或LPE技术在衬底30上生长器件(如LED、LD 等)结构，从上至下依次分别为衬底30、N型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余丽，
申请(专利权)人：余丽，
类型：发明
国别省市：