一种真空处理方法，一边对待机状态的处理装置进行清洗处理一边在动作状态的处理装置中以一定间隔对基板进行真空处理。将反复进行一定的处理时间T的真空处理的动作个数m个的动作周期设定为一真空处理的一处理开始时刻各相差T/m，从作为基准的动作条件的连续处理开始时刻开始，令其他的动作周期的连续处理开始时刻每个延迟延迟时间（n·T+T/m）（n为1以上的整数），进行连续处理次数N张的处理，则从动作状态向待机状态变更，与结束了清洗处理的处理装置交接。由于在待机状态中进行清洗处理，所以能够对以长度与时间差T/m相同长度的运入间隔被运入的基板没有迟滞地进行真空处理。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于提高处理装置的处理工作效率的控制技术。技术背景如果在具有真空处理装置的真空槽内进行基板的成膜等的真空处理，则在真空槽的内壁上堆积在成膜中使用的反应气体成分。为了除去该反应气体成分的膜，向真空槽内导入清洗气体而令堆积于内壁的膜发生反应而气体化，向真空槽外进行真空排气。以往，每次进行基板的成膜处理时，对每一张进行真空槽内的清洗，存在基板的处理效率差的问题。另一方面，如果每处理设定的多张时从成膜作业向清洗作业转移，则难以对从前工序以一定间隔运入的基板没有迟滞地进行真空处理。如果在多个真空槽内一起开始基板的处理，则产生基板运送装置不动作的时间， 此外，各真空槽的清洗也一起开始，还产生不进行基板的成膜处理的时间。专利文献1 日本特开平07-94486号公报专利文献2 日本特开平08-340034号公报。
技术实现思路
本专利技术提供一种技术，如上所述地以一定间隔对基板进行真空处理，同时每对多张基板进行处理后，进行处理装置的清洗。本专利技术为一种真空处理方法，在具有真空槽且在运入上述真空槽内的基板上形成薄膜的多个的处理装置个数M的处理装置中，比上述处理装置个数M少的动作个数m个的上述处理装置成为能够对上述基板进行成膜处理的动作状态，剩下的待机个数(M-m)个的上述处理装置为不进行上述成膜处理而能够进行上述真空槽内的薄膜除去的清洗处理的待机状态，设定连续处理次数N，处于上述动作状态的上述处理装置在进行了上述连续处理次数 N次的上述成膜处理后，从上述动作状态向上述待机状态变更而进行上述清洗处理，结束了上述清洗处理的上述处理装置从上述待机状态向上述动作状态变更，进行上述连续处理次数N次的上述基板的上述成膜处理， 其中，从能够开始向上述真空槽内运入上述基板的状态起，直到运入上述基板而进行上述成膜处理、在上述成膜处理结束后运出上述基板而开始接下来的未处理基板的运入的状态， 作为一个成膜处理动作，上述成膜处理动作以一定的处理时间T进行，在为与上述动作个数m相同的个数、上述成膜处理动作以上述处理时间T间隔反复进行的动作周期中，作为各动作周期的上述成膜处理动作的开始时刻的一处理开始时刻各相差将处理时间T除以动作个数m的时间差(T/m)，多个处于上述动作状态的上述处理装置按照各自不同的上述动作周期，若变为上述一处理开始时刻则开始上述成膜处理动作，从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置在结束第上述连续处理次数N 次的上述成膜处理动作的同时，从上述待机状态向上述动作状态变更的上述处理装置开始上述成膜处理动作，按照从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置进行动作的上述动作周期而连续地进行上述连续处理次数N次的上述成膜处理动作。此外，本专利技术为一种真空处理方法，上述待机个数(M-m)设定为多个，在处于上述待机状态的上述处理装置被设为上述动作状态时，先被设为上述待机状态的上述处理装置先被设为上述动作状态。此外，本专利技术为一种真空处理方法，上述待机个数(M-m)为一个。此外，本专利技术为一种真空处理方法，如果令各上述动作周期的上述连续处理次数N 次中的最初的上述成膜处理动作的上述一处理开始时刻为连续处理开始时刻，则上述动作条件间的近接的上述连续处理开始时刻的差即延迟时间比上述处理时间T长。此外，本专利技术为一种真空处理方法，在上述动作个数m个的上述动作周期中，将一个上述动作周期作为基准，上述一处理开始时刻从作为基准的上述动作周期的上述一处理开始时刻各延迟上述时间差(T/m)的其他的上述动作周期为，从作为基准的上述动作周期的上述连续处理开始时刻，各延迟下述延迟时间，所述延迟时间在将上述处理时间T乘以期望的整数η倍后的值上加上上述时间差T/m而得到(η ·Τ+Τ/πι) (η为1以上的整数)。此外，本专利技术为一种真空处理方法，各上述处理装置从上述动作状态变更为上述待机状态后直到回复为上述动作状态的待机时间为一定值。此外，本专利技术为一种真空处理方法，上述处理装置个数M个的上述处理装置不为上述动作状态和上述待机状态，从没有进行上述成膜处理动作的状态，上述动作个数m个的上述处理装置以上述m个的动作周期来进行上述成膜处理动作时，上述动作个数m个的上述处理装置各延迟上述时间差(T/m)而开始上述成膜处理动作，即便进行过了的上述成膜处理动作的次数不满上述连续处理次数N，也视为变成了上述连续处理次数N次而变为上述待机状态，不为上述动作状态也不为上述待机状态的上述处理装置为，与变更为上述待机状态的处理装置被设为第上述连续处理次数N次而结束上述成膜处理动作的同时，开始上述成膜处理动作，并且按照即便不满上述连续处理次数N也视为变为上述连续处理次数N次而变更为了上述待机状态的上述处理装置进行动作的上述动作周期连续进行上述连续处理次数N次的上述成膜处理动作。在本专利技术中，一台处理装置也可以利用一次的成膜处理动作对一张基板进行成膜，也可以向一台处理装置内运入多张基板并利用一次的成膜处理动作对多张基板进行成膜。在各动作周期中，如果变为一处理开始时刻，则借助某一处理装置而开始成膜处理动作，进行向基板的成膜，所以能够消除全部处理装置都不进行成膜处理动作的期间。因而，根据本专利技术，与以往相比能够提高处理装置的工作率。通过令多个处理装置的动作均一地错开，能够高效地使用基板运送机器人。此外，处理对象的基板不会滞留，基板运送机器人的动作速度不会成为基板的处理的限速因素。附图说明图1是用于说明本专利技术的处理装置的连接的图。图2 (a)是用于说明表示一个成膜处理动作的四边形的图，(b)是用于说明排列该四边形而表示动作周期的列的图。图3是用于说明动作个数m个的动作条件的一处理开始时刻和连续处理开始时刻的关系的图。图4是用于说明动作个数m个的动作条件的一处理开始时刻与连续处理开始时刻的关系的其他情况的图。附图标记说明51 53…动作周期，A D…处理装置，Q…延迟时间，T…处理时间， S” S2…待机时间，T/m…时间差。具体实施方式< 装置 >图1的符号1为成膜装置，该成膜装置1具有用于本专利技术的本工序装置14、进行本工序装置14的前工序的前工序装置11、进行本工序装置14的后工序的后工序装置15、令基板从前工序装置11向本工序装置14移动并且将在本工序装置14中进行了真空处理的基板向后工序装置15移动的移动装置12。本工序装置14具有本体部13和控制本体部13的动作的控制部35。本体部13具有运送室25、与运送室25连接的处理装置个数M个(本例中M=4)的处理装置A D、和连接运送室25和移动装置12的交接室四。各处理装置A D分别具有真空室21 M。各真空室21 M和运送室25和交接室四构成为分别与真空排气装置28i 284连接，能够令各室21 对、25、四的内部为真空环境。处理装置A D是借助CVD法及溅镀法而在被运入的基板表面上令薄膜生长的薄膜形成装置，在此，在各真空室21 M上连接积存有原料气体的原料气体供给系统(未图示)，构成为能够向各处理装置A D的真空槽21 M内导入薄膜的原料气体。此外，在各真空室21 M内配置等离子体形成装置(未图示)，使得在各真空室21 M内产生被导入的原料气体的等离子体，在配置于各真空室21 M内的基板表面，薄膜利用等离子体 C本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤裕子，菊池正志，龟崎厚治，阿部庆子，下田圭介，桧山雅树，阿部智伸，加藤修，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：
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