具有保护膜层的镀膜玻璃及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有保护膜层的镀膜玻璃及其制备方法，所述镀膜玻璃包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的镀膜层，其特征在于，所述镀膜层以玻璃基片为基础自内向外依次包括：第一保护层、第一电介质层、第二保护层、功能膜层、第三保护层、第二电介质层、外保护膜层。本发明专利技术通过在玻璃基片上沉积第一保护层有效的阻止了Na+扩散，降低反射，并且提高了玻璃的机械化强度；在功能膜层上下两侧沉积第二保护层和第三保护层提高了功能膜层的抗氧化性能，延长其保存时间，增加膜层之间的附着力，同时增强了玻璃的可加工性，另外，在所述功能膜层上沉积外保护膜层使得镀膜玻璃便于运输和储存，并且使用时易于去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及玻璃深加工中的镀膜
，具体是一种。
技术介绍
镀膜玻璃是在玻璃表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物的薄膜，用以改变玻璃的光学性能，满足某种特定要求。镀膜玻璃在人们日常生活中的应用越来越广泛，不单用于建筑领域，而且很多生活用品也用玻璃为材料。但是，镀膜玻璃在运输和存储的过程中，基片膜层容易发生划伤、磨损的情况，其功能层银膜也很容易氧化，并且镀膜玻璃在进行各种深加工和热处理后，物理化学性能容易发生改变。针对上述问题，目前玻璃制造企业采用的方法是使用PE有机贴膜保护基片膜层，它可以起到一定的保护作用。但是，在使用基片时，需要人工揭膜，该保护膜不能重复利用且不易降解，批量使用会造成大量固体废弃物，对环境造成严重的负面影响。
技术实现思路
本专利技术的技术目的是解决现有技术中存在的问题，提供一种光学性能稳定、不易发生氧化的镀膜玻璃及其制备方法。本专利技术的技术方案是一种具有保护膜层的镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的镀膜层，其特征在于，所述镀膜层以玻璃基片为基础自内向外依次包括沉积在所述玻璃基片上的第一保护层；沉积在所述第一保护层上的第一电介质层；沉积在所述第一电介质层上的第二保护层；沉积在所述第二保护层上的功能膜层；沉积在所述功能膜层上的第三保护层；沉积在第三保护层上的第二电介质层；沉积在所述第二电介质层上的外保护膜层。进一步的技术方案还包括作为优选，所述外保护膜层设为碳膜层；所述第一保护层、第二保护层、第三保护层优选为Ni Cr、Cr、Ti或不锈钢材料膜层中的一种。所述第一电介质层、所述第二电介质层优选为Sn02、ZnS03、ZnCKSi3N4或TiO2材料膜层中的一种。所述功能膜层为银层。作为优选，所述第一保护层、第二保护层、第三保护层的膜厚范围设为3-8nm;所述第一电介质层、第二电介质层的膜厚设为16-lOOnm ；所述外保护膜层的厚度范围设为0. 1-0. 5 μ m0一种制备上述具有保护膜层的镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤准备玻璃基片；在所述玻璃基片上沉积第一保护层；在所述第一保护层上沉积第一电介质层；在所述第一电介质层上沉积第二保护层；在所述第二保护层上沉积功能膜层；在所述功能膜层上沉积第三保护层；在所述第三保护层上沉积第二电介质层；在所述第二电介质层上沉积外保护膜层，所述外保护膜层是将100%含碳氢源通入反应器中经薄膜工艺形成。各膜层可采用真空磁控溅射方法镀膜，作为优选的技术方案所述第一保护层通过直流单靶材溅射形成，靶材为MCr靶，其溅射条件为背景真空度为3. 2X 10_3mbar，充入纯氩气体溅射；所述第一电介质层通过交流双靶溅射形成，其溅射条件为背景真空度为3.0 X IO-3Hibar，充入氩气、氮气或者氩气、氧气的混合气体溅射。所述第二保护层通过直流单靶材溅射形成，靶材为MCr靶，其溅射条件为背景真空度为2. 85 X 10_3mbar，充入纯氩气体溅射；所述功能膜层通过直流单靶材溅射形成，溅射条件为背景真空度为4.5X 10_3mbar，充入纯氩气体溅射；所述第三保护层通过直流单靶材溅射形成，靶材为MCr靶，其溅射条件为背景真空度为2. 85 X 10_3mbar，充入纯氩气体溅射。所述第二电介质层通过交流双靶溅射形成，其溅射条件为背景真空度为 3. 0 X IO-3Hibar，充入氩气、氮气或者氩气、氧气的混合气体溅射。所述制备外保护层的含碳氢源为甲烷，所述薄膜工艺优选为等离子体离子蒸镀。本专利技术的有益效果1)、通过在玻璃基片上设置第一保护层有效的阻止了 Na+扩散，避免了 Na+扩散对薄膜沉积性能和色系的不利影响，并起到降低反射，提高玻璃机械化强度的作用；2)、在功能膜层上下两侧沉积第二保护层和第三保护层提高功能膜层的抗氧化性能，延长其保存时间，增加膜层之间的附着力，同时增强玻璃的可加工性；3)、通过在所述功能膜层上沉积外保护膜层，提高玻璃的耐腐蚀性与耐磨损性，便于玻璃的运输和储存。作为优选的炭膜层，膜层不仅材料环保，使用时易于去除，同时还具有高硬度、低摩擦系数、良好的耐腐蚀性与耐磨性的优点。附图说明图1是本专利技术的结构示意图2是本专利技术的制备流程示意图。具体实施方式为了阐明本专利技术的技术方案、构造特征、产品功效及技术目的，下面结合附图及具体实施方式对本专利技术做进一步的介绍。如图1所示，本专利技术的一种具有保护膜层的镀膜玻璃1，包括玻璃基片10和镀制在玻璃基片10上的镀膜，其膜层结构自玻璃基片10向外依次为沉积在所述玻璃基片10上的第一保护层11 ；沉积在所述第一保护层11上的第一电介质层12 ；沉积在所述第一电介质层12上的第二保护层13 ；沉积在所述第二保护层13上的功能膜层14 ；沉积在所述功能膜层14上的第三保护层15 ；沉积在第三保护层15上的第二电介质层16 ；沉积在所述第二电介质层16上的外保护膜层17。其中，所述第一保护层11、第二保护层13以及第三保护层15优选NiCr、Cr、不锈钢、Ti等材料中的一种镀制膜层。所述功能膜层14为具有低辐射性能的银层，起到增加保温或隔热效果的作用。所述第一电介质层12与所述第二电介质层16优选Sn02、ZnSO3> ZnO, Si3N4, TiO2 等材料中的一种镀制膜层。为了使外保护膜层17具有高硬度、低摩擦系数、良好耐腐蚀性与耐磨损性等特性，在本专利技术中，所述外保护膜层17优选的为碳膜层，其可以通过650°以上的热处理去除。如图2所示，为一种制备上述具有保护膜层的镀膜玻璃的制备方法，采用真空磁控溅射设备镀膜，其制备流程具体包括以下步骤执行步骤Sl 提供玻璃基片10 ；执行步骤S2 在所述玻璃基片10上沉积第一保护层11，所述第一保护层11通过直流单靶材溅射形成，靶材为MCr靶，其溅射条件为背景真空度为3. 2 X 10-3mbar,在纯氩气环境中溅射，所述第一保护层11的膜厚为3-8nm ；执行步骤S3 在所述第一保护层11上沉积第一电介质层12。所述第一电介质层 12通过交流双靶溅射形成，其溅射条件为背景真空度为3. OX IO-3Hibar，在氮氩或者氩氧气体环境中溅射。其中，充入氩气和氮气时，氩气和氮气的体积比为30 35，所述第一电介质层12的膜厚为16-100nm ；执行步骤S4 在所述第一电介质层12上沉积第二保护层13。所述第二保护层13 通过直流单靶材溅射形成，靶材为NiCr靶，其溅射条件为背景真空度为2. 85 X lO^mbar, 充入纯氩气，在纯氩气氛围中溅射，所述第二保护层13的膜厚为3-8nm ；执行步骤S5 在所述第二保护层13上沉积功能膜层14。所述功能膜层14是通过直流单靶材溅射形成。其中，溅射条件为背景真空度为4. 5X l(T3mbar，在纯氩气环境中溅射；执行步骤S6 在所述功能膜层14上沉积第三保护层15。所述第三保护层15通过直流单靶材溅射形成，靶材为MCr靶，其溅射条件为背景真空度为2. 85 X 10-3mbar,充入纯氩气溅射，所述第三保护层15的膜厚为3-8nm ；执行步骤S7 在所述第三保护层15上沉积第二电介质层16。所述第二电介质层16通过交流双靶溅射形成，其溅射条件为背景真空度为3. OX 10_3mbar，在充入氩气、氮气或者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有保护膜层的镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的镀膜层，其特征在于，所述镀膜层以玻璃基片为基础自内向外依次包括沉积在所述玻璃基片上的第一保护层； 沉积在所述第一保护层上的第一电介质层； 沉积在所述第一电介质层上的第二保护层； 沉积在所述第二保护层上的功能膜层； 沉积在所述功能膜层上的第三保护层； 沉积在第三保护层上的第二电介质层； 沉积在所述第二电介质层上的外保护膜层。2.根据权利要求1所述的一种具有保护膜层的镀膜玻璃，其特征在于 所述外保护膜层为碳膜层。3.根据权利要求1所述的一种具有保护膜层的镀膜玻璃，其特征在于所述第一保护层、第二保护层、第三保护层为MCr、Cr、Ti或不锈钢材料的膜层。4.根据权利要求1所述的一种具有保护膜层的镀膜玻璃，其特征在于所述第一电介质层、所述第二电介质层为Sn02、ZnS03> ZnO, Si3N4或TW2材料的膜层。5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的一种具有保护膜层的镀膜玻璃，其特征在于所述功能膜层为银层。6.根据权利要求5所述的一种具有保护膜层的镀膜玻璃，其特征在于 所述第一保护层、第二保护层、第三保护层的膜厚为3-8nm ；所述第一电介质层、第二电介质层的膜厚为16-lOOnm; 所述外保护膜层的厚度范围为0. 1-0. 5 μ m。7.—种如权利要求1所述的具有保护膜层的镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤提供玻璃基片；在所述玻璃基片上沉积第一保护层； 在所述第一保护层上沉积第一电介质层； 在所述第一电介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：林嘉宏，
申请(专利权)人：林嘉宏，
类型：发明
国别省市：