检测物的检测装置、电极、基板、检查芯片及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能够灵敏地检测出检测物和受测物的检测物的检测装置、电极基板、工作电极、检查芯片、检测物的检测方法以及受测物的检测方法；为达到上述目的，在工作电极上设置反射部件(反射层)，该反射部件将光源照射出的、且透过了工作电极主体的激励光反射到工作电极主体上的检测物上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测物的检测装置、电极基板、工作电极、检查芯片、检测物的检测方法、以及受测物的检测方法。更具体而言，本专利技术涉及的是用于检测或定量受测物、并据此进行疾病的临床检查及诊断等的检测物的检测装置、电极基板、工作电极、检查芯片、检测物的检测方法及受测物的检测方法。
技术介绍
疾病的临床检查和诊断往往是如下进行的用遗传基因检测方法和免疫学检测方法等方法检测生物试样中含有的与疾病相关的基因和蛋白质等。在这种临床检查和诊断中，有人提出用光激励具有光化学活性的标记物，并用如此产生的电流检测基因和蛋白质等受测物(光电化学检测方法)(例如参照美国公开专利第2009/294305号等)。美国公开专利第2009/294305号公开的方法是用具有光化学活性的增感色素等检测物，根据该检测物的光激励所产生的电流，检测受测物。在此美国公开专利第 2009/294305号公开的方法中，首先要用具有光化学活性的检测物标记受测物。然后，用光照标记后受测物，使标记后受测物中所含增感色素产生光激励。测定光激励所产生的电流。 根据此电流的测定结果可以灵敏地检测出受测物。然而，要检测出更微量的受测物，检测灵敏度还有待提高。
技术实现思路
本专利技术的范围只由后附权利要求书所规定，在任何程度上都不受这一节
技术实现思路
的陈述所限。本专利技术正是鉴于上述情况，其目的在于提供可以一种能够灵敏地检测出检测物的检测物的检测装置、电极基板、工作电极、检查芯片、以及受测物的检测方法。在提高光电化学检测方法中受测物的检测灵敏度的方法中，已知有一种方法是通过增加光源照射出的激励光的强度，相对增强因检测物等而产生的光电流。但是，在这种方法中，非因检测物等而产生的光电流也会一起被相对增强，S/N比可能会恶化。本专利技术人发现了以下事项，从而完成了本项专利技术将通过了工作电极主体的激励光反射到工作电极主体上的检测物，以此可以在不增加非因检测物而产生的光电流的情况下，增加因检测物而产生的光电流，。本专利技术提供(1) 一种检测装置，用光电化学法检测因光激励而产生电子的检测物，该装置包括工作电极主体，能够容纳所述检测物产生的电子，并具有透光性；反电极；光源，向所述工作电极主体上的检测物照射激励光；及反射部件，用于将所述光源照射出的、并且通过了所述工作电极主体的激励光反射到所述工作电极主体上的检测物上。(2) (1)所述检测装置，其中所述反射部件选自由白金、铝、金、银和铜所组成的群中的至少一种构成。(3)⑴所述检测装置，其中所述工作电极主体由导电层和电子容纳层构成。(4) (1)所述检测装置，其中所述光源配置在用于容纳所述工作电极主体上的检测物的电子的电子容纳面一侧，所述反射部件设置在与所述电子容纳面相反的一面。(5) (4)所述检测装置，其中所述反射部件设置在远离所述工作电极主体的位置。(6) (4)所述检测装置，其中所述反射部件通过具有透光性的绝缘层与所述工作电极主体成为一体。(7) (6)所述检测装置，其中与所述工作电极主体上的所述电子容纳面相反一侧的表面有具有透光性的绝缘层。(8) (6)所述检测装置，其中所述绝缘层是用于保持工作电极主体的形态的基板主体。(9) (4)所述检测装置，其中所述反射部件设置在用于保持工作电极主体的形态的基板主体上。(10) (1)所述检测装置，其中所述光源配置在用于容纳所述工作电极主体上的检测物的电子的电子容纳面的相反一侧，所述反射部件设在所述电子容纳面一侧中远离所述工作电极主体的位置。(11) (10)所述检测装置，其中在与所述工作电极主体上的所述电子容纳面相反一侧的表面上设有具有透光性的绝缘层。(12) 一种电极基板，用光电化学法检测因光激励而产生电子的检测物，该基板包括基板主体；工作电极主体，位于所述基板主体上、能够容纳所述检测物产生的电子，且具有透光性；及反射部件，位于所述基板主体上、能够将光源照射出的、透过了所述工作电极主体的激励光反射到所述工作电极主体上的检测物上。(13) (12)所述电极基板，其中所述基板主体上有反电极。(14) 一种工作电极，用光电化学法检测因光激励而产生电子的检测物的，该电极包括工作电极主体，位于所述基板主体上、能够容纳所述检测物产生的电子，且具有透光性；及反射部件，位于所述基板主体上，将光源照射出的、透过了所述工作电极主体的激励光反射到所述工作电极主体上的检测物上。(15) 一种检查芯片，用光电化学法检测因光激励而产生电子的检测物，该芯片包括电极基板，由基板主体、工作电极主体、以及反射部件构成，其中所述工作电极主体位于所述基板主体上，能够容纳所述检测物产生的电子，且具有透光性；所述反射部件位于所述基板主体上，将光源照射出的、且透过了所述工作电极主体的激励光反射到所述工作电极主体上的检测物上；及反电极。(16) 一种检测物的检测方法，用具有透光性的工作电极主体和反电极，对因光激励而产生电子的检测物进行光电化学检测，该方法包括使所述工作电极主体上存在有检测物；向所述工作电极主体上的检测物照射激励光；将透过了所述工作电极主体的激励光反射到所述工作电极主体上的检测物上；及测定所述工作电极主体与反电极之间的电流。(17) 一种受测物的检测方法，用具有透光性的工作电极主体和反电极对受测物进行光电化学检测，该方法包括使受测物与标记结合物接触，形成受测物与标记结合物的复合物，其中所述标记结合物是用标记物标记用于捕捉此受测物的结合物而形成的；使所述工作电极主体上至少存在有标记物；向所述工作电极主体上的标记物照射激励光；将透过了所述工作电极主体的激励光反射到所述工作电极主体上的标记物上；及测定所述工作电极主体与反电极之间的电流。采用本专利技术的检测物的检测装置、电极基板、工作电极、检查芯片、以及受测物的检测方法，可以高灵敏度地检测出检测物和受测物。附图说明图1为本专利技术一实施方式涉及的检测物的检测装置的结构斜视说明图2为图1所示检测装置的结构框图3为本专利技术另一实施方式涉及的检测物的检测装置的结构框图4为本专利技术一实施方式涉及的检查芯片的斜视说明图5为图4所示检查芯片的AA—线的截面说明图6A为图4所示检查芯片中所含上基板的平面说明图6B为图4所示检查芯片中所含下基板的平面说明图7(a)为图4所示检查芯片中含工作电极的部分的简略示意图、(b)为图4所示检查芯片中含工作电极的部分的变形例的简略示意图8为本专利技术其他实施方式涉及的检查芯片的截面说明图9(a)为图8所示检查芯片中含工作电极的部分的简略示意图、(b)为图8所示检查芯片中含工作电极的部分的另一例的简略示意图IOA为上基板变形例的平面说明图IOB为下基板变形例的平面说明图IlA为上基板变形例的平面说明图IlB为下基板变形例的平面说明图12A为上基板变形例的平面说明图12B为下基板变形例的平面说明图12C为间隔固定件的变形例斜视说明图13为本专利技术一实施方式涉及的检测物的检测方法的处理步骤流程图14为本专利技术一实施方式涉及的检测物的检测方法中各步骤的概要说明图15为激励光照射步骤及激励光反射步骤中光源和反射部件的配置的变形例的简要说明图16为激励光照射步骤及激励光反射步骤中光源和反射部件的配置的变形例的简要说明图17为激励光照射步骤及激励光反射步骤中光源和反射部件的配置的变形例的简要说明图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：堀信康，桐村浩哉，
申请(专利权)人：希森美康株式会社，
类型：发明
国别省市：