用于产生图像传感器中的光电检测器隔离的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于产生图像传感器中的光电二极管隔离的方法。在n型硅半导体层中横向邻近于光电检测器的收集区且横向邻近于电荷/电压转换区安置浅沟槽隔离区。所述浅沟槽隔离区各自包含安置在所述硅半导体层中的沟槽及沿着每一沟槽的内部底部及侧壁安置的第一电介质结构。在钉扎层上方安置第二电介质结构。所述电介质结构包含安置在氧化物层上方的氮化硅层。仅沿着所述沟槽的外部底部的一部分及所述沟槽的紧邻近于所述光电检测器的外部侧壁安置n型隔离层。不沿着所述底部的其余部分或所述沟槽的相对外部侧壁安置所述n型隔离层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及供在数码相机及其它类型图像捕获装置中使用的图像传感器，且更特定来说，涉及互补金属氧化物半导体(CM0Q图像传感器。再特定来说，本专利技术涉及CMOS图像传感器中的光电二极管隔离及一种用于产生此类隔离的方法。
技术介绍
图像传感器使用通常布置成阵列的数千到数百万个像素来捕获图像。图1描绘根据现有技术普遍用于CMOS图像传感器中的像素的俯视图。像素100包含响应于入射光而收集电荷的光电检测器(PD) 102。在从光电检测器102读出所述电荷之前，经由触点104将适当信号施加到复位晶体管的栅极(RG)以将电荷/电压转换区(FD) 106复位到已知电位 VDD0接着当通过使用触点108将适当信号施加到传送栅极(TG)而启用传送晶体管时将电荷从光电检测器102传送到电荷/电压转换区106。电荷/电压转换区106用于将所收集的电荷转换成电压。放大器晶体管(SF)的栅极110经由信号线111连接到电荷/电压转换区106。为将电压从电荷/电压转换区106传送到输出V0UT，经由触点112将适当信号施加到行选择晶体管(旧)的栅极。激活行选择晶体管启用放大器晶体管(SF)，此又将电压从电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪·Q·多恩，埃里克·G·史蒂文斯，罗伯特·M·吉达什，
申请(专利权)人：全视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：