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本发明涉及一种用于产生图像传感器中的光电二极管隔离的方法。在n型硅半导体层中横向邻近于光电检测器的收集区且横向邻近于电荷/电压转换区安置浅沟槽隔离区。所述浅沟槽隔离区各自包含安置在所述硅半导体层中的沟槽及沿着每一沟槽的内部底部及侧壁安置的第...
该专利属于全视科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全视科技有限公司授权不得商用。

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