【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体
，特别是涉及。技术背景在功率IGBTansulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管)模块封装过程中，陶瓷衬板的绝缘性能对IGBT模块的稳定可靠运行起着很关键的作用，因此， 获得陶瓷衬板的绝缘性能数据至关重要。目前，国内外的功率IGBT模块的绝缘性能通常是通过对功率IGBT模块进行局部放电测试来获得的绝缘性能数据作为陶瓷衬板的绝缘性能数据，但是，这种测试方式中，测试电压并非直接加载陶瓷衬板上，因此，对功率IGBT模块的局部放电测试得到的绝缘性能数据并不能准确反映陶瓷衬板的绝缘性能。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种，以得到准确的陶瓷衬板的绝缘性能参数，技术方案如下本专利技术提供一种陶瓷衬板局部放电测试装置，包括非金属外壳、绝缘胶、陶瓷衬板及引出电极，其中，所述陶瓷衬板设置在所述非金属外壳形成的内腔中，且所述陶瓷衬板两面覆盖有金属层；所述绝缘胶灌注在所述非金属外壳形成的内腔；所述引出电极与所述金属层电连接，并延长至所述非金属外壳外，用于向所述陶瓷衬板加载电压信号。优选的，还包括设...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李继鲁，方杰，万正芬，曾雄，赵洪涛，彭勇殿，吴煜东，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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