发光组件制造技术

本发明专利技术公开一种发光组件，其包括一载体、一半导体发光薄膜、与一电极结构。所述的电极结构电连接至所述的半导体发光薄膜，具有一主要电极，围绕所述的半导体发光薄膜、一延伸电极，自所述的主要电极延伸至所述的半导体发光薄膜上、以及一电极垫，与所述的主要电极相连接。

【技术实现步骤摘要】
发光组件
本专利技术涉及一种半导体发光组件。
技术介绍
目前发光二极管普遍有电流分散不佳的问题。就一般发光二极管而言，发光层结构上设有电极垫以导入电流。一般增进电流分散的方式多于发光层结构上形成电流扩散层，再在电流分散层上设置电极垫。电极垫一般为金属材质，因此会遮蔽发光层结构，造成光取出效率不佳。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种发光组件，其包括一载体，具有第一侧及第二侧；一半导体发光薄膜位于所述的载体的第一侧上，依序包括一第一导电型半导体层、一活性层、以及一第二导电型半导体层；一第一电极结构电连接至所述的第二导电型半导体层，包括一主要电极，围绕所述的半导体发光薄膜、一延伸电极，自所述的主要电极延伸至所述的第二导电型半导体层上、以及一电极垫，与所述的主要电极相连接。附图说明图1A为符合本专利技术的第一实施例的发光组件上视图；图1B为图1A中A-A’线段的结构剖视图；图1C为图1A中B-B’线段的结构剖视图；图2A为符合本专利技术的第二实施例的发光组件上视图；图2B为图2A中A-A’线段的结构剖视图；图3A为符合本专利技术的第三实施例的发光组件上视图；图3B为图3A中A-A’线段的结构剖视图；图4A为符合本专利技术的第四实施例的发光组件上视图；图4B为图4A中A-A’线段的结构剖视图；图4C为符合本专利技术的第五实施例的发光组件剖视图；以及图4D为符合本专利技术的第六实施例的发光组件剖视图。主要组件符号说明10～半导体发光薄膜；10A～第一导电型半导体层；10B～活性层；10C～第二导电型半导体层；12～载体；12A～载体的一侧；12B～载体的另一侧；14～接合层；16～绝缘结构；18A～电极垫；18B～主要电极；18C～延伸电极；18D～辅助电极；19～反射层；21～第二电极结构；25～波长转换结构；27～保护结构；100、200、300、400、400’～发光组件。具体实施方式图1A为本专利技术一实施例的发光组件100的上视图，其中A-A’方向的剖视图如图1B所示，而其B-B’方向的剖视图如图1C所示。首先，在一成长基板(未图示)上形成半导体发光薄膜10，包括第二导电型半导体层10C、活性层10B、及第一导电型半导体层10A。半导体发光薄膜10可为磊晶成长的GaN材料系列为主的叠层结构、AlInGaP材料系列为主的叠层结构、或其它适用的半导体材料系列的叠层结构。在本专利技术一实施例中，半导体发光薄膜10的面积约介于0.25mm2至25mm2之间，或较佳地介于1mm2至25mm2之间。上述的第一导电型与第二导电型为相异的导电型。举例来说，当第一导电型半导体层10A为p型半导体层时，第二导电型半导体层10C即为n型半导体层；反之亦然。接着，形成一反射层19在第一导电型半导体层10A上，并将反射层19藉由一接合层14贴合至载体12的一侧12A上。之后，移除成长基板以露出第二导电型半导体层10C。其中，接合层14可先形成于反射层19上再贴合至载体12；或先形成于载体12上再与反射层19贴合；也可分别形成于反射层19及载体12上再互相接合。载体12可具有导电性，其材料包含金属，如包含至少一种材料选自于铜、铝、镍、钼、及钨所组成的群组，或包含半导体材质，如硅或碳化硅等材质。接合层14的材料包含金属或金属合金，如包含至少一种材料选自于金、银、铝、铟、锡、铅、及其合金所组成的群组、或包含金属氧化物，如氧化铟锡等导电材质。接着蚀刻部分的半导体发光薄膜10以露出部分的反射层19，并形成绝缘结构16于半导体发光薄膜10的侧壁及反射层19上。在本专利技术一实施例中，绝缘结构16覆盖载体12的一侧12A及半导体发光薄膜10的侧壁，但露出半导体发光薄膜10的第二导电型半导体层10C。绝缘结构16可包含二氧化硅、氮化硅、或氧化铝等材料。接着形成一第一电极结构电连接至第二导电型半导体层10C。所述的第一电极结构主要由电极垫18A、主要电极18B、与延伸电极18C组成。如图1A所示，主要电极18B围绕半导体发光薄膜10并连接至电极垫18A，具体而言，电极垫18A及/或主要电极18B系形成于载体12未被半导体发光薄膜10覆盖的区域上。在本专利技术一实施例中，主要电极18B与半导体发光薄膜10或第二导电型半导体层10C并不直接接触，两者之间以一间隙隔开。由图1A可知，主要电极18B实质上位于半导体发光薄膜10以外区域且位于的绝缘结构16之上，因此并不会覆盖至第二导电型半导体层10C。主要电极18B不位于半导体发光薄膜10的出光面上，因此可消除电极遮光问题。因此为传导电极垫的电流，主要电极18B的尺寸设计符合电流传导及电流分散要求即可，而不用受限于遮光问题的考虑。主要电极18B的其宽度可等同于或小于电极垫18A的宽度，使具有良好的电流传导效果而且不影响发光组件的电性，如串联电阻或顺向电压等。在本专利技术一实施例中，主要电极18B的宽度可介于5μm至100μm之间，或较佳为21μm至100μm之间以应用于高功率发光组件，或为51μm至100μm之间以应用于更高功率的发光组件。如图1A所示，延伸电极18C自主要电极18B延伸至第二导电型半导体层10C并与第二导电型半导体层10C形成奥姆接触，并将电流自主要电极18B均匀传导及分散至第二导电型半导体层10C。于本专利技术的一实施例，延伸电极18C自第二导电型半导体层10C的各边延伸至第二导电型半导体层10C上并与之形成奥姆接触；于本专利技术的另一实施例，延伸电极18C自第二导电型半导体层10C的二个相对角落延伸至第二导电型半导体层10C上并与之形成奥姆接触；于本专利技术的另一实施例，延伸电极18C自第二导电型半导体层10C的二个相对边延伸至第二导电型半导体层10C上并与之形成奥姆接触；于本专利技术的另一实施例，延伸电极18C沿第二导电型半导体层10C的周边，以一实质上相等的间距延伸至第二导电型半导体层10C上并与之形成奥姆接触。于本专利技术的另一实施例，延伸电极18C大约朝向第二导电型半导体层10C的中心方向延伸。延伸电极18C的宽度小于主要电极18B的宽度以减少遮光面积，例如延伸电极18C的宽度约介于1μm至30μm之间，或较佳地介于1μm至10μm。若延伸电极18C的宽度过宽，将增加遮光面积而降低光取出效率。若延伸电极18C的宽度过窄，将无法有效达到传导及分散电流的效果。在本专利技术其它实施例中，第一电极结构可视情况进一步包含辅助电极18D由延伸电极18C延伸至未被延伸电极18C覆盖的第二导电型半导体层10C上。辅助电极18D可进一步将电流更均匀的分散至第二导电型半导体层10C。辅助电极18D的宽度小于延伸电极18C的宽度以减少遮光面积，例如辅助电极18D的宽度约介于0.5μm至5μm之间，或较佳地介于0.5μm至3μm之间。过宽的辅助电极18D将增加遮光面积而降低光取出效率，而过窄的辅助电极18D将无法有效达到分散电流的效果。为因应电流传导及光取出效率等因素考虑，第一电极结构中的电极垫18A、主要电极18B、延伸电极18C、及辅助电极18D可分别具有不同厚度，或由单一制作工艺同时形成的相同厚度。第一电极结构的材质包含金属、金属合金、或透明导电材料，如包含至少一种材料选自于金、银、铜、铝、钛、铬、钼、铑、铂、及其合金所组成的群组。在本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光组件，包括：载体，具有第一侧及第二侧；半导体发光薄膜，位于该载体的第一侧上，该半导体发光薄膜依序包括第一导电型半导体层、活性层、以及第二导电型半导体层；第一电极结构电连接至该第二导电型半导体层，包括主要电极，其围绕该半导体发光薄膜、延伸电极，自该主要电极延伸至该第二导电型半导体层上、辅助电极，由该延伸电极延伸至未被该延伸电极覆盖的第二导电型半导体层上、以及一电极垫，与该主要电极相连接，其中该主要电极形成于该载体未被该半导体发光薄膜覆盖的区域上，且该主要电极的上表面高于该半导体发光薄膜的上表面，以定义一凹陷结构；绝缘结构，覆盖该载体的第一侧及该半导体发光薄膜的侧壁上，且该电极垫直接位于该绝缘结构上；以及一波长转换结构填入该凹陷结构中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽澎，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：