超级结半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种超级结半导体器件，在N+硅基板上具有交替排列的P型和N型半导体薄层结构，其中：P型杂质浓度在沿沟槽方向是变化的，在接近P/N薄层上表面的部分的杂质浓度高于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度，接近P/N薄层下表面的部分的杂质浓度低于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度；接近P/N薄层下表面的部分的最大浓度变化梯度大于接近P/N薄层上表面的部分的最大浓度变化梯度。本发明专利技术还公开了一种超级结半导体器件的制作方法。本发明专利技术能够提高器件反向击穿电压的均匀性和器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种超级结半导体器件。本专利技术还涉及一种超级结半导体器件的制作方法。
技术介绍
超级结结构的器件通过利用P/N交替配列的结构来代替传统VDMOS (纵向双扩散金属氧化物半导体晶体管)中的N漂移区。它结合业内熟知的VDMOS工艺，就可以制作得到超级结结构的MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)；它能在反向击穿电压与传统的VDMOS 一致的情况下，通过使用低电阻率的外延层，使器件的导通电阻大幅降低。P/N半导体薄层中N型杂质的载流子分布和P型杂质的载流子分布以及它们的匹配会影响器件的特性，包括反向击穿电压和电流处理能力。一般器件设计中都采用使交替的P/N半导体薄层中达到最佳的电荷平衡以得到器件的最大的反向击穿电压，但这样的条件下器件的反向击穿可能发生在N区也可能发生在P区，而从器件的电流处理能力和可靠性的要求出发，希望器件的反向击穿发生在P区的靠近器件的N+衬底区域。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种超级结半导体器件，能够提高器件反向击穿电压的均勻性和器件的可靠性；为此，本专利技术还要提供一种超级结半导体器件的制作方法。为解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，韩峰，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：