温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种超级结半导体器件，在N+硅基板上具有交替排列的P型和N型半导体薄层结构，其中：P型杂质浓度在沿沟槽方向是变化的，在接近P/N薄层上表面的部分的杂质浓度高于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度，接近P/N薄层下表面的部分的杂质浓度低...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。