晶种保持构件及使用该晶种保持构件的多结晶硅制造方法技术

本发明专利技术提供一种晶种保持构件及使用该晶种保持构件的多结晶硅制造方法，通过在任意部位形成折离用凹部，在施加破坏载荷时能够在该凹部产生应力集中，从而以比以往小的负荷进行折断。此外，通过沿着该凹部传播破裂，能够防止在不希望的晶种保持构件的部位传播破裂，能够实现晶种保持构件与多结晶硅的分离作业的劳力和时间的减少。石墨制晶种保持构件(6)设置在利用西门子法制造多结晶硅的炉的底部，且保持作为种棒的晶种(4)的下端部，在石墨制晶种保持构件(6)的外周面形成有折离用槽(16)。晶种保持构件(6)包括：具有供电极部(5)插入的第一嵌合孔(10)的圆柱状台座部(6a)、直径比台座部(6a)的直径小的圆柱状主体部(6b)、与主体部(6b)相连且具有供晶种(4)的下端部插入的第二嵌合孔(13)的截头圆锥台状前端部(6c)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及设置在利用西门子法制造多结晶硅的炉内并对作为种棒的硅芯材 (晶种)的下端部进行保持的。
技术介绍
作为半导体材料的高纯度的多结晶硅目前主要通过西门子法制造(参照下述的专利文献1)。具体说明，在制造多结晶硅的反应炉内竖立设置多根作为种棒的倒U字型的硅芯材(以下，称为晶种)，该晶种的两端部经由晶种保持构件支承在炉底部的电极上。并且，通过电极及晶种保持构件对晶种通电。通过这样对晶种进行通电，从而晶种成为高温， 炉内的氯硅烷类及氢进行反应而在晶种的表面析出多结晶硅。随着该反应进行而成长为多结晶硅棒。这样，在多结晶硅析出后，将晶种保持构件折损，并将附着有多结晶硅的晶种向炉外取出，然后，进行晶种保持构件与多结晶硅的分开作业，从而将多结晶硅取出。先行技术文献专利文献专利文献1日本专利2867306号公报如上所述，需要在附着多结晶硅后进行折损晶种保持构件的作业，但因晶种保持构件的强度高所以折损时的破坏载荷非常大。此外，由于可能对析出的多结晶硅造成污染， 因此无法进行例如利用敲击某物的冲击的折离作业，而是一个一个地进行手工作业。因此， 对于制造者而言，晶种保持构件的折离作业成为大的负担本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎淳，泉宫正树，
申请(专利权)人：东洋炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：