氟碳官能硅倍半氧烷的合成制造技术

发明专利技术主题是以下通式的氟碳官能笼形硅倍半氧烷的合成方法，其中，·R1代表HCF2(CF2)n(CH2)mO(CH2)3Si(CH3)2O或HCF2(CF2)n(CH2)mO(CH2)3基团，其中n＝1-12，m＝1-4；·R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8可以与R1相同或与R1不同且全部代表(C1-C25)烷基或任何芳基，该合成方法基于在作为催化剂的硅醇铑复合物[{Rh(OSiMe3)(cod)}2]的存在下，氟烷基-烯丙醚与适当的氢-硅倍半氧烷的氢化硅烷化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：波格丹·马茨涅克，希尔罗尼姆马切耶夫斯基，米哈尔·杜特凯维奇，
申请(专利权)人：亚当密茨凯维奇大学，
类型：发明
国别省市：