加热熔融处理装置以及加热熔融处理方法制造方法及图纸

提供一种能够直接冷却处理对象物体，不需要设置另外的冷却板的加热熔融处理装置。本发明专利技术的加热熔融处理装置是对包含焊锡的处理对象物体(100)在包含羧酸蒸气的气氛中进行加热熔融处理的加热熔融处理装置(1)，将用于承载进行了加热熔融处理的处理对象物体(100)并输送的操作部(4)兼用作冷却板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于对包含焊锡的处理对象物体进行加热熔融处理的加热熔融处理装置及其方法。
技术介绍
如锡焊处理装置以及焊锡球的成形装置等那样，用于对包含焊锡的处理对象物体进行加热熔融处理的加热熔融处理装置已广泛应用。特别是为了可以不使用助焊剂地进行锡焊处理和焊锡球成形处理，已知有使用甲酸等的羧酸的加热熔融处理装置(专利文献1、 2)。在这些加热熔融处理装置中，从提高作业速度的观点出发，要求缩短从焊锡熔融到冷却的时间。关于这一点，在专利文献1所述的装置中，通过在配备加热单元的热板下方设置可以升降的冷却板，在冷却时让冷却板紧贴热板的下表面，来强制冷却锡焊基板。(在先技术文献)专利文献专利文献1 特开平11-233934号公报专利文献2 特开2001-244618号公报
技术实现思路
(专利技术所要解决的问题)但是，在上述现有的加热熔融处理装置中，并不是让冷却板紧贴锡焊基板等处理对象物体本身，而只不过是让冷却板紧贴设置有加热单元的热板。因而，这种现有技术的加热熔融处理装置只不过能够经由热板间接地冷却处理对象物体，存在不能直接冷却处理对象物体的问题。另外，还存在除了用于将处理对象物体送入/移出容器内的输送单元外，还必须将另一个冷却板设置成可移动的问题。因而，本专利技术的目的在于提供一种能够直接冷却处理对象物体，而不需要设置另一个的冷却板的加热熔融处理装置。(解决问题的手段)本专利技术的加热熔融处理装置是在包含羧酸蒸气的气氛中对包含焊锡的处理对象物体进行加热熔融处理的加热熔融处理装置，其特征在于将用于承载并输送进行了上述加热熔融处理的处理对象物体的操作部兼用作冷却板。本专利技术的加热熔融处理方法的特征在于具有在包含羧酸蒸气的气氛中对包含焊锡的处理对象物体进行加热熔融处理的步骤；将进行了上述加热熔融处理的处理对象物体承载在兼用作冷却板的操作部上并输送的步骤。(专利技术的效果)根据本专利技术，与经由配备有加热单元的热板间接冷却处理对象物体的情况相比， 可以迅速冷却，能够提高作业速度并能够提高生产率。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的锡焊处理装置的概略剖面图。图2是表示图1的锡焊处理装置的操作部的平面图㈧以及A-A剖面图(IB)。图3是表示图1的锡焊处理装置中的锡焊处理的工序的概略剖面图。图4是表示图3的后续工序的概略剖面图。图5是表示图4的后续工序的概略剖面图。图6是表示图5的后续工序的概略剖面图。图7是表示图6的后续工序的概略剖面图。图8是表示图7的后续工序的概略剖面图。图9是表示图8的后续工序的概略剖面图。图10是表示图1的锡焊处理装置的温度升降特性的图。图11是表示比较例的锡焊处理装置的温度升降特性的图。图12是表示图10以及图11的温度升降特性的温度分布测量位置的图。图13是表示图10以及图11的温度升降特性的测量时的工艺条件的图。图14是表示在维持加热状态下，进行处理对象物体的移交时的图1的锡焊处理装置的温度升降特性的图。图15是第二实施方式的锡焊处理装置的内部的从上方观察的概略剖面图。图16是表示本专利技术的变形例中的温度升降特性一个示例的图。具体实施例方式<第一实施方式>以下，参照附图说明本专利技术的第一实施方式。另外，在附图的说明中对同一要素标注同一附图标记并省略重复的说明。另外，图面的尺寸比例有时为了说明上的方便而有所夸张，存在与实际的比例有差异的情况。图1表示将本专利技术的加热熔融处理装置作为锡焊处理装置应用的情况下的第一实施方式。锡焊处理装置1具有第一室2和第二室3，在它们之间承载并输送作为处理对象物体的锡焊基板的操作部4还兼用作冷却板。在此，第一室2和第二室3经由可以开关的闸门阀5连结。通过关闭闸门阀5，能够用组成闸门阀5的一部分的板形的遮挡部件将第一室2和第二室3隔开。另外，通过打开闸阀5，能够在保持第一室2和第二室3对外部的密封性的状态下，使第一室2和第二室 3相互连通。在此，例如，通过使构成闸门阀5的一部分的遮蔽部件穿过密封部件55而向第一室2或第二室3的内外滑动，能够实现闸门阀5的上述功能。作为密封材料，例如可以使用0型圈来构成。第一室2为用于对作为包含焊锡的处理对象物体的锡焊基板100进行锡焊的处理室，而第二室3为用于投入锡焊基板100的装填闭锁室。另外，锡焊基板100可以是至少包含在表面上形成有许多焊锡凸起的芯片的一对芯片，在此情况下，作为上述锡焊处理，执行经由上述焊锡凸起之间或者经由上述焊锡凸起与电极来将上述一对芯片叠层并接合的倒装片式接合处理。总之，在采用倒装片式接合处理的情况下，既可以是在第一基片和第二基片的双方的表面上形成焊锡凸起，并经由这些焊锡凸起之间对第一基片和第二基片进行锡焊接合，也可以是在第一基片的表面上形成焊锡凸起，而在第二基片的表面上形成电极部，并经由第一基片的焊锡凸起和第二基片的电极部对第一基片和第二基片进行锡焊接合。在以上的说明中，叙述了对第一基片和第二基片的双方进行锡焊接合的情况，但此外，还可以考虑对在表面上形成有多个焊锡凸起的基片与晶片相互进行焊锡接合，或者对在表面上形成有多个焊锡凸起的多个晶片之间相互进行锡焊接合。<给排气系统>首先，对与第一室2和第二室3连接的给排气系统进行说明。对于第一室2和第二室3，分别经由阀6、7连接排气泵(真空泵)8。所述排气泵8是用于对第一室内和第二室内进行减压的排气单元。另外，在本实施方式中，作为第一室2和第二室3所用的排气单元，设置了一个排气泵8，但也可以与本实施方式不同地，对各个室2、3分别设置独立的排气泵。另外，在第一室2上，为了可以不用助焊剂地进行锡焊，经由阀10连接羧酸蒸气供给系统(羧酸供给单元)9。作为羧酸，可以使用甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、草酸、丙二酸、丁二酸、丙烯酸、水杨酸、乳酸等。羧酸蒸气供给系统9将诸如氢气、一氧化碳的还原性气体、或诸如氮气的惰性气体等运载气体混合到羧酸蒸气中并导入到第一室2内。羧酸蒸气供给系统9具有容纳羧酸的液体的密闭容器11，在所述密闭容器11上连接着经由阀12提供运载气体的运载气体供给管13。运载气体供给管13连接在用于在容器11内发生气泡的发泡部14上。另外，也可以在容器11的周围设置用于对羧酸液体加温的加热器。加热器将羧酸液体保持为恒定的温度。这样，通过并用运载气体，对第一室2内导入羧酸蒸气变得容易，并且能够防止未充分气化状态的羧酸附着在处理对象物体上而产生残渣的现象。另外，也可以与本实施方式不同地，不使用运载气体，而是通过使容纳着羧酸液体的密封容器11与第一室2连通，将其蒸气导入到第一室2内。另外，也可以在将容纳着羧酸液体的密闭容器11连通到第一室2上的过程中混合运载气体。在这些情况下，其蒸发量依赖于第一室2内的气体压力。另外，也可以在第一室2内设置将羧酸加热并使之汽化的羧酸加热单元(未图示)，将羧酸液体经由供给管(未图示)提供给上述第一室内的羧酸加热单元。在此情况下，在第一室2内，羧酸加热单元将液体的羧酸加热并使之汽化，由此提供羧酸蒸气气氛。下面，说明羧酸回收部。本实施方式的锡焊处理装置1设置或安装在排气泵8的吸气或排气一侧，并具有将汽化了的羧酸回收的羧酸回收部(回收机构)15。羧酸回收部 15可以是安装在排气泵8的吸气一侧或排气一侧的过滤器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部英之，
申请(专利权)人：阿有米工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：