锡和锡合金的无电镀覆方法技术

本发明专利技术涉及一种无电(浸渍)镀覆在印刷电路板、IC基板、半导体晶片等的制造中作为最终面层的具有≥1μm厚度的锡和锡合金的方法。该方法在铜接触垫与无电镀覆的锡层之间使用无电镀覆的铜牺牲层，所述铜牺牲层在锡镀覆期间完全溶解。该方法弥补了在厚的锡层无电镀覆期间铜从接触垫上不希望的损耗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在印刷电路板、IC基板、半导体晶片等的制造中无电镀覆锡和锡合金作为最终面层的方法。
技术介绍
锡表面在印刷电路板、IC基板、半导体晶片和相关的器件的制造中用作最终面层， 即充当用于随后组装步骤的可钎焊或可接合表面。锡主要沉积在表示为接触垫的基板的铜构件上。该应用的选择方法是通过无电镀覆步骤沉积锡，而浸渍镀覆是最普遍使用的方法。 锡或锡合金在铜表面上的浸渍镀覆工艺，也称为交换反应、置换或替换镀覆，遵从下式(1)Sn2++2Cu — Sn+2Cu+ (1)。反应(1)的结果是，来自于由铜制成的接触垫的铜在锡沉积期间溶解(The Electrodeposition of Tin and its Alloys, M. Jordan, E. G. Leuze Publishers, 1st Ed. 1995，p. 89-90)。在浸渍镀锡期间的铜损耗可能在现有技术印刷电路板(PCB)例如HDI PCB(高密度互连)、IC基板和半导体晶片的制造中造成不可接受的失效，其可以具有非常薄或窄的铜接触垫以用锡涂覆。PCB、IC基板和半导体晶片的接触垫的典型厚度或宽度值为50 μ m、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·阿诺德，J·维格里施特，IR·赫尔斯科恩，HJ·施雷埃尔，
申请(专利权)人：安美特德国有限公司，
类型：发明
国别省市：