用于微蚀刻铜和铜合金的组合物及方法技术

本发明专利技术涉及用于微蚀刻铜和铜合金的组合物及方法。所述组合物包含：i)至少一种Fe

【技术实现步骤摘要】
用于微蚀刻铜和铜合金的组合物及方法本申请为分案申请，其母案的申请日为2015年10月30日、申请号为201580011494.6、专利技术名称为“用于微蚀刻铜和铜合金的组合物及方法”。
本专利技术涉及一种用于微蚀刻铜或铜合金表面的组合物；及一种使用这样的组合物微蚀刻铜或铜合金表面的方法。
技术介绍
随着日益增加的印刷电路板(PCB)几何形状的复杂性和在制造时所使用的铜及铜合金基板的多样性，成像抗蚀剂(例如，光致抗蚀剂)和焊接掩模的良好附着力已成为关键问题。还由于对无铅生产更为苛刻的要求，可经受由PCB表面加工工艺如浸镀锡、浸镀银及ENIG(化学镀镍/浸镀金)引起的所述铜或铜合金表面的化学侵蚀已变得必要。因此，为防止由成像膜或焊接掩模附着力不佳引起的缺陷，成像抗蚀剂或焊接掩模的极佳附着力如今是必要的先决条件。铜或铜合金表面上成像抗蚀剂或焊接掩模的增加的附着力可通过在成像抗蚀剂或焊接掩模的附着之前微蚀刻该铜或铜合金表面来实现。于EP0757118中公开了用于所述微蚀刻目的的一种常用类型的组合物。这样的水性微蚀刻组合物包含铜离子源、有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于微蚀刻铜或铜合金表面的组合物，其特征在于所述组合物包含/ni)至少一种Fe

【技术特征摘要】
20141219 EP 14199223.01.一种用于微蚀刻铜或铜合金表面的组合物，其特征在于所述组合物包含
i)至少一种Fe3+离子源，
ii)至少一种Br-离子源，其浓度为1-200mg/l，
iii)至少一种无机酸，及
iv)至少一种根据式I的蚀刻精制剂

　　　　　式I
其中R1选自氢、C1-C5烷基或取代的芳基或烷芳基基团；
R2选自氢、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基；
R3、R4选自氢和C1-C5烷基；
及X-是合适的阴离子，
其中所述组合物进一步包含至少一种Fe2+离子源，其中Fe2+离子和Fe3+离子的量为1至100g/l，并且其中所述组合物进一步包含小于100mg/l的Cl1-离子。


2.根据权利要求1的组合物，其特征在于
R1选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、苯基及苄基；
R2选自氢、甲基、乙基、正丙基及异丙基；
R3选自氢、甲基、乙基、正丙基及异丙基；
R4选自氢、甲基、乙基、正丙基及异丙基。


3.根据权利要求1或2的组合物，其特征在于所述R2基团在5或6位上。


4.根据前述权利要求任一项的组合物，其特征在于所述R3和R4是相同的。


5.根据前述权利要求任一项的组合物，其特征在于所述根据式I的蚀刻精制剂选自：
氯化4-(6-甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3-苄基-6-甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3,6-二甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3-苄基-5-甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3,5-二甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3-甲基-6-乙氧基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3-苄基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3-甲基-5-乙氧基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3-苄基-5-乙氧基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(3-苄基-5-乙氧基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二甲基苯胺、氯化4-(6-甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二乙基苯胺、氯化4-(3-苄基-6-甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基-N,N-二乙基苯胺、氯化4-(3,6-二甲基-1,3-苯并噻唑-3-鎓-2-基)-N,N-二乙基苯胺、氯化4...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·拉格，A·克利奎，D·特夫斯，
申请(专利权)人：安美特德国有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE