一种转折二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体器件，尤其是一种转折二极管。一种转折二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由P-N-P-N四层半导体材料、三个PN结串联构成，左端的P区称为阳极区，右端的N区称为阴极区，中间的N区和P区称为基区，阳极区和阴极区对外各焊接有一根引出线，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层。本实用新型专利技术结构简单，二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层，方便正确使用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，尤其是一种转折二极管。
技术介绍
转折二极管是一种能够正向开关工作的单向开关二极管。该二极管的两个端头区域的掺杂浓度都较高，中间N基区的掺杂浓度较低。在正向工作(阳极接正，阴极接负)时具有双稳定状态，即有高阻、小电流的关断状态(即正向阻断状态)和低阻、大电流的导通状态(即正向导通状态)，从而具有开关性能。并且二极管的正向导通电压很低(近似等于一个PN结的导通电压)；由正向阻的断状态转换为导通状态的转变电压VBF称为正向转折电压。在反向工作(阳极接负，阴极接正)时，通过的电流很小，只有一种工作状态——反向阻断状态；但是，当反向电压达到击穿电压VBR时、电流即迅速增大，转折二极管击穿。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是基于上述问题，提供一种可以清楚显示出工作参数的转折二极管。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种转折二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由P-N-P-N四层半导体材料、三个PN结串联构成，左端的P区称为阳极区，右端的N区称为阴极区，中间的N区和P区称为基区，阳极区和阴极区对外各焊接有一根引出线，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转折二极管，包括二极管本体(1)，其特征在于所述的二极管本体(1)由 P-N-P-N四层半导体材料、三个PN结串联构成，左端的P区称为阳极区，右端的N区称为阴极区，中间的N区和P区称为基区，阳极区和阴极区对外各焊接有一...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔明，
申请(专利权)人：常州福达电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：