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本实用新型涉及一种半导体器件，尤其是一种转折二极管。一种转折二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由P-N-P-N四层半导体材料、三个PN结串联构成，左端的P区称为阳极区，右端的N区称为阴极区，中间的N区和P区称为基区，阳极区和阴极区对外...
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