用于测量集成电路中的功耗的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及用于测量集成电路中的功耗的方法和系统。提供了一种用于确定集成电路(10)内的功率域(12)的功耗的方法(100)。在第一步骤(110)中，确定这个功率域(12)的局部电源阻抗剖面(Z(f))。随后，在功率域(12)中执行良定义的周期性活动(50)的同时测量局部时间分辨电源电压(U(t))(步骤120)。因此累积一组时域测量的电压数据(U(t))并把其变换到频域以产生电压谱(U(f))(步骤130)。通过使用这个功率域(12)的电源阻抗剖面(Z(f))，按照I(t)＝Ff-1{U(f)/Z(f)}从该电压剖面(U(f))计算电流谱I(t)(步骤140)。最后，从测量的电压谱(U(t))和计算的电流谱(I(t))确定时间分辨功耗谱P(t)(步骤150)。可以把该功耗(P(t))与基准(Pref(t))进行比较(步骤160)以验证功率域(12)内的功耗是否符合预期。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及集成电路，更具体地讲，涉及一种用于测量集成电路中的局部电功耗的方法和系统。该方法可用于电子电路设计中以及用于执行集成电路芯片中的自测试ο
技术介绍
在电子系统的设计中以及在电子系统的工作期间，功耗是要考虑的重要参数一方面，“绿色IT”要求电子系统的总能耗最小化。另一方面，如果要避免过热以及因此导致的系统故障，则电子系统内的局部功耗是要考虑的关键因素。为了确保可靠的功能，必须评定系统内的局部功耗，从而在局部和全局都能够应用足够的冷却。在高端集成电路(IC)中尤其如此，在高端IC中，电子部件紧密封装并且可在工作期间消耗大量电功率；这些类型的电子器件要求冷却功能，该冷却功能需要根据系统在典型活动期间的预期局部功耗进行仔细设计、定位和确定尺寸。功耗在高端VLSI (超大规模集成)芯片设计中是尤其重要的参数，因为所有部件必须以能够在系统工作期间的任何时间为它们提供足够的局部冷却的方式进行放置和分隔。因此，例如对于优化封装密度、能量效率等而言，基于(局部)功率耗散和/或局部温度的故障分析变得越来越重要。在确保所考虑的IC将会按照所希望的方式工作的努力中， 合成IC内的(局部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2010.11.19 EP 10191823.31.一种用于确定集成电路(10)内的功率域(12)的功耗的方法(100，100’)，包括下述步骤-确定所述功率域(12)的局部电源阻抗剖面(Z(f))(步骤110、110，)， -在执行特定于所述功率域(1 的周期性活动的同时测量局部电源电压(U(t))(步骤 120,120')；-求得所测量的局部电源电压(U(t))的电压谱(U(f))(步骤130、130’)； -从所述阻抗剖面(Z(f))和所述电压谱(U(f))计算关联的电源电流(I(t))(步骤 140,140')；以及-从所述电源电流(I(t))和测量的电源电压(U(t))确定功耗谱(P(t))(步骤150、 150，)。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述功率域(12)的所述局部电源阻抗剖面的步骤(110)包括下述步骤-在所述功率域(12)中应用重复的活动(步骤111)； -评估由所述重复的活动引起的电流消耗(Ici(O)的时间行为(步骤112)； -计算对应的电流消耗谱(I。(f))(步骤113)； -测量由所述重复的活动引起的局部电源电压(U。(t))(步骤114)； -求得所测量的局部电源电压(UQ(t))的电压谱(UQ(f))(步骤115)；以及 -从所述电压谱和电流谱仉⑴，I0(f))计算所述局部电源阻抗剖面(Z(f))(步骤 116)。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，应用重复的活动的步骤(111)包括周期性地接通和断开系统时钟树。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，评估电流消耗(IJt))的时间行为...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·埃科特，R·弗莱驰，C·赛维尔罗，O·A·托雷特，TM·温克尔，J·萨珀，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
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