磁光隔离器消光比测量方法及光学参数测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种磁光隔离器消光比测量方法和一种光学参数测量装置。该测量方法包括：提供沿光路依次设置的一激光器、一扩束镜、一缩束镜、一检偏器和一光电传感器件；旋转检偏器到一基准角度示值θ1，此时光电传感器件读数为P1；在激光器和扩束镜之间放入一起偏器，旋转起偏器，使光电传感器件读数为第一最小值P2；在扩束镜和缩束镜之间放入待测磁光隔离器，调整磁光隔离器使得光电传感器件读数最大，旋转检偏器，使光电传感器件读数为第二最小值Pmin；旋转检偏器，使得光电传感器件读数为最大值Pmax；将Pmax和Pmin代人公式Ex＝Pmax/Pmin，计算出被测器件的消光比Ex。本发明专利技术的测量方法测量精度较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁光隔离器消光比的测量方法及测量装置。
技术介绍
消光比是衡量光学元件光学性能的重要参数，反映了其内部可能存在的缺陷，如内应力、光学不均勻性等。其消光比就是衡量光学不均勻性的一个重要参数。规定采用=Pmax表示在垂直光轴的平面内椭圆型高斯光束长轴方向的最高光功率，Rnin表示在垂直光轴的平面内椭圆型高斯光束长轴方向的最低光功率。则消光比定义为EX = 101g(Pmax/Pmin)(1)消光比的单位为dB。在实际应用中消光比的测试有着很重要的实用价值。晶体消光比测量的准确性直接影响晶体的研制、生产和应用。测量器件的偏振有比较成熟的设备，如ThorlabS公司PAX5700系列偏振测量仪， 其利用琼斯(Jones)和米勒(Mueller)矩阵测量，但我们使用其测量大口径磁光隔离器的旋光角度及消光比测试并不方便，原因是光束大小不可变，不能全口径测试，且受环境光照影响，使得测试精度低下。
技术实现思路
为了解决现有技术设备测量磁光隔离器的消光比精度较低的问题，本专利技术提供一种操作方便且效率较高的磁光隔离器消光比的测量方法。本专利技术还提供一种用于实施上述测量方法的光学参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊仲维，王家赞，
申请(专利权)人：北京国科世纪激光技术有限公司，
类型：发明
国别省市：