用于EMI屏蔽应用的导电膜制造技术

根据各方面，提供了EMI屏蔽材料的示例性实施例。在一个示例性实施例中，一种EMI屏蔽材料总体包括设置在薄载体膜上的导电金属层。所述EMI屏蔽材料可足够服帖以使得当将所述EMI屏蔽材料涂覆到不规则表面上时，所述导电金属层和所述薄载体膜能够贴合到所述不规则表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体涉及电磁干扰(EMI)，更具体地讲(但非排除性地)，涉及一种用于EMI 屏蔽应用的导电膜。
技术介绍
这部分提供了涉及本专利技术的
技术介绍
信息，但并不必然是现有技术。电子设备、装置、组件、部件等产生可干扰位于附近的电子设备的操作的不期望的电磁能。这种EMI干扰可不利地影响电子组件的操作性能和相关装置的操作。因此，常见的做法是对使用发射电磁干扰或易受电磁干扰影响的电路的电子组件提供屏蔽和/或接地。通过使用反射或耗散电磁电荷和电磁场的导电屏蔽，这些组件可被屏蔽以减少不期望的电磁干扰和/或减轻易受影响的效果。这种屏蔽可接地，以使得在不扰乱在所述屏蔽内包围的电子组件的操作的情况下耗散不期望的电荷和电场。作为示例， 不期望的电磁能源通常被冲压金属外壳屏蔽。此外，诸如半导体、晶体管等的电子组件通常具有预设计的温度，电子组件在该温度下最佳地操作。理想地，预设计的温度与周围空气的温度接近。但是电子组件的操作产生热，如果不去除这些热，则将导致电子组件在比其正常或理想操作温度高得多的温度下操作。这种过高的温度可不利地影响电子组件的操作性能和相关装置的操作。为了避免或至少减小由于热的产生导致的不利操作特性，应当去除热，例如，通过将热从操作的电子组件传导至散热片来去除热。散热片可随后通过常规对流技术和/或辐射技术进行冷却。在传导过程中，通过电子组件和散热片之间的直接表面接触和/或通过电子组件和散热片表面之间的通过中间介质或热界面材料(TIM)的接触，热可从操作的电子组件传递到散热片。所述热界面材料可用于填充热传递面之间的间隙，从而与通过作为相对差的热导体的空气填充间隙的情况相比，增大了热传递效率。在一些装置中，电绝缘体也可置于所述电子组件和所述散热片之间，在许多情况下，电绝缘体是TIM本身。如本文所用，术语电磁干扰(EMI)应当被理解为通常包括并指代电磁干扰(EMI) 和射频干扰(RFI)发射二者。术语“电磁”应当被理解为通常包括并指代来自外部源和内部源的电磁和射频二者。因此，术语屏蔽(如本文所用)通常包括并指代EMI屏蔽和RFI 屏蔽二者，例如，用于防止(或至少减轻)EMI和RFI相对于其中设置有电子设备的屏蔽装置的进入和发出。
技术实现思路
本节提供对本公开的总体概述，并且其不是本专利技术的全部范围或全部特征的综合公开内容。根据各方面，提供了 EMI屏蔽材料的示例性实施例。在一个示例性实施例中，一种 EMI屏蔽材料总体包括设置在薄载体膜上的导电金属层。所述EMI屏蔽材料可足够服帖以使得当将所述EMI屏蔽材料涂覆到不规则表面上时，所述导电金属层和所述薄载体膜能够贴合到所述不规则表面上。在另一个示例性实施例中，一种EMI屏蔽材料总体包括设置在薄载体膜上的导电金属层。所述导电金属层足够薄，以使得当所述EMI屏蔽材料涂覆到不规则表面上时，所述 EMI屏蔽材料能够贴合到所述不规则表面上。在另一个示例性实施例中，一种EMI屏蔽材料总体包括具有第一侧的薄载体膜以及涂覆到所述薄载体膜的所述第一侧上的导电金属层。导电金属层和薄载体膜一起可具有足够薄的组合厚度，以当将EMI屏蔽材料涂覆到不规则表面时使EMI屏蔽材料能够贴合所述不规则表面。其它方面提供涉及EMI屏蔽材料的方法，诸如利用和/或制造所述EMI屏蔽材料的方法。在一个示例性实施例中，一种用于制造EMI屏蔽材料的方法总体包括将导电金属沉积到载体膜上，从而形成导电金属层。一种方法还可包括将所述EMI屏蔽材料涂覆到塑料制品上，从而所述EMI屏蔽材料可操作以将EMI屏蔽性能赋予所述塑料制品。作为补充或作为另外一种选择，一种方法可包括将防粘衬垫涂覆到导电金属层上。从以下提供的具体实施方式中，本公开的其它方面和特征将变得清楚。另外，本公开的任何一个或多个方面可独立地实施或按与本公开的任何一个或多个其它方面的任意组合实施。应该理解，具体描述和特定示例虽然表明了本公开的示例性实施例，但是它们仅旨在示例目的，而不旨在限制本公开的范围。附图说明本文描述的附图仅用于示出选择的实施例，而非示出所有可能的实施方式，并且不旨在限制本公开的范围。图1是根据示例性实施例的在传递膜上具有导电金属层的EMI屏蔽材料的截面图；图2是根据示例性实施例具有在传递膜上的导电金属层的EMI屏蔽材料的另一示例性实施例的截面图；图3是用于制备应用到制品或组件上的EMI屏蔽材料的示例性方法的工艺流程图；图4是用于制备应用到制品或组件上的EMI屏蔽材料的另一示例性方法的工艺流程图；图5是根据示例性实施例具有在传递膜上的导电金属层的EMI屏蔽材料的另一示例性实施例的截面图；以及图6和图7示出了根据示例性实施例的其中可进一步设置防粘膜的示例性图案。对应的标号指代在附图中的多幅图的对应部分。具体实施例方式现在将参照附图更加完全地描述示例性实施例。本文公开的是电磁干扰(EMI)屏蔽材料的多个示例性实施例，所述屏蔽材料包括导电金属层和薄载体膜材料(例如，薄层的聚合物或防粘材料等)。一些示例性实施例可以选择性地包括覆盖导电金属层的整个表面设置的防粘涂层和/或膜。另一示例性实施例可以选择性地包括诸如按预定图案(例如，条纹图案(图6)和/或点状图案(图7))的方式覆盖所述整个表面的仅一些部分设置的防粘涂层和/或膜。在多个实施例中，EMI屏蔽材料包括薄载体膜和设置在薄载体膜上的导电金属层， 其足够服帖，使得导电金属层和薄载体膜能够贴合不规则表面(例如，不平坦或不连续的不均勻表面、不平坦表面、弯曲表面、不平滑表面、形状或形式布置不对称的表面等)，诸如计划设置或涂覆EMI屏蔽材料的模具腔中的一个或多个表面或模制制品的一个或多个表面。有利的是，这使得EMI屏蔽材料变为模制制品的一部分，并且导电金属层设置在所述模制制品的外部上，并且薄载体膜附着到所述模制制品。在一个或多个示例性实施例中，导电金属层的厚度小于或等于0. 0005英寸，并且薄载体膜的厚度小于或等于0.001英寸。在另一示例性实施例中，导电金属层的厚度可在约5纳米(50埃)至约100纳米(1000埃)的范围内，并且薄载体膜的厚度可在约0.2微米至约5微米的范围内。在这种实施例中，导电金属层的厚度可为5纳米、100纳米或落入 5纳米或100纳米之间的任意值，并且薄载体膜的厚度可为0. 2微米、5微米或落入0. 2微米和5微米之间的任意值。本文公开的这些数值范围仅是针对示例性目的提供的。所述特定范围不旨在限制本公开的范围，例如根据将使用本实施例的特定应用，针对其它实施例可改变所述范围。导电金属层和薄载体膜一起可具有当将EMI屏蔽材料涂覆到不规则表面时使EMI 屏蔽材料能够有效地贴合所述不规则表面的组合厚度。将金属传递膜或导电金属层应用到模制制品的不规则表面上的过程可将EMI屏蔽能力提供给或赋予所述模制部件，而不需要所述制品由导电塑料模制或制成，或不需要所述制品涂有导电漆。此外，位于载体膜上的金属传递膜或导电金属层和防粘涂层和/或膜也可提供或建立热传导路径。金属传递膜和防粘涂层和/或膜的厚度也使得能够与配合表面之间形成良好的一致性，并帮助改善热传导。热传导至少部分地取决于与导电金属层接触的有效表面面积的程度。贴合配合表面的能力是重要的，这是由于用于EMI屏蔽的模制制品可能不是完全平坦或光滑的，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·麦克拜恩，理查德·F·希尔，
申请(专利权)人：莱尔德技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：