一种超结高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色分析方法技术

本发明专利技术提供了一种超结高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色分析方法，包括以下步骤：A、按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶8的比例进行超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色液配制；B、把金相切片好的样品，浸泡入配置好的结染色液中10秒钟后取出；C、使用扫描电子显微镜进行截面观察经过染色的超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构区，拍下扫描电子显微镜的扫描照片，并测量相关掺杂结构的结深。本发明专利技术通过该种针对超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构的PN结进行染色分析，以后再进行该同种超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构结深确认只需使用得出的最佳经验值来获取即可，既快速又经济。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种MOSFET器件掺杂结构的结深分析方法，特别涉及一种超结高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色分析方法。
技术介绍
所谓“超结”(Super Junction)的结构是指建立在POWER MOSFET技术基础上的高压功率器件结构，如图1所示。这是因为MOSFET器件如果按照“超结”原理设计，则可实现低于硅半导体材料自身最低电阻的特征导通电阻。超结器件的导通电阻与击穿电压呈线性而非二次函数关系，使得超结技术非常适用于高压功率MOSFET器件。国际学术界，Coe(D J Coe U. S 专利编号 Patent 4 754 310，High Voltage Semiconductor Device 1988)首先提出了一种对标准功率MOSFET结构的改进，如图2 所示，把体区用漂移区交错隔断。当在漏极上加上相对于源极的反向偏置的时候，体区和漂移区都会耗尽。让体区和漂移区同时耗尽的方法是选择这些层中的电荷，使之彼此平衡。实验表明从结构上看，漂移层(Drift)的高宽比非常重要。漂移层的高宽比指的是漂移层的厚度与其宽度的比在击穿电压为250V时，漂移层的高宽比应为4或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，
申请(专利权)人：上海华碧检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：