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本发明提供了一种超结高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色分析方法，包括以下步骤：A、按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶8的比例进行超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色液配制；B、把金相切片好的样品，浸泡入配置好的...
该专利属于上海华碧检测技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华碧检测技术有限公司授权不得商用。

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