一种存储阵列单元信息读取方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种存储阵列单元信息读取方法及系统，同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线，在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加高于所述第一读取电压的第二读取电压，与被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻的连续多根位线施加与所述第二读取电压相等的电压，在与被读取存储单元较高电压的位线相邻的多个存储单元两端不存在电位差，避免了相邻存储单元带来的电流泄漏问题，提高了存储单元的存储信息读取精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信息存储领域，特别是涉及一种存储阵列单元信息读取方法及系统。
技术介绍
整个存储器的核心是存储单元构成的阵列，阵列中存储单元信息的读取方法参见图1，存储单元以普通MOS管为例，每个存储单元(cell)有三个端口，其中一个是控制端口， 相当于普通MOS管的栅极，其余两个端口相当于普通MOS管的源极和漏极。存储单元的控制端口连接字线，并且阵列中同一行存储单元的控制端口连接同一字线WLl，字线电位高低实现对存储单元的开启和关断。存储阵列中同一行存储单元的源极和漏极顺次首尾相连， 相邻的两个存储单元的源极和漏极连接在一根位线上。当存储单元处于开启状态时，等效为一个电阻；当存储单元所存储的信息为“0”或为“1”时，其电阻值不同。因此，为了读取存储单元中存储的信息，需要在被读取存储单元的两端施加电位差，读取流过存储单元的电流就可以读取存储单元中的存储信息。读取存储单元中的信息时，低电平产生电路或电流读取电路与存储阵列的位线通过位线选通装置连接，位线选通装置相当于一个电学开关，由位线选通控制信号控制位线选通装置选通存储阵列中的位线，使选通的位线与低电平产生电路或电流读取电路连接。 以读取图1中存储单元cell2为例，字线WLl电平为高后存储单元cell2开启，常规的存储阵列信息读取方法为选通存储单元cell2源极和漏极相连接的两条位线BLa和BLa+Ι，使位线BLa和BLa+Ι分别连接低电平产生电路和电流读取电路，在位线BLa和BLa+Ι分别施加读取低电压和读取高电压，存储单元cell2两端的电势差导致流过存储单元的电流rtit， 流过存储单元cell2的电流值记为rtit。读取电流I由电流读取电路读出，读取电路读出的读取电流值记为I，当I = Ibit时，这个读出的电流值反映存储单元中存储的信息。但是，在读取存储单元cell2中的信息时，在位线BLa和BLa+Ι上分别施加读取低电压和读取高电压，在与位线BLa+Ι相邻的位线BLa+2，BLa+3等位线上没有施加电压， 在低电平产生电路和电流读取电路工作的瞬间，在存储单元cell3、cell4等的源极和漏极两端产生电势差，会在存储单元cell3、ce114等上产生泄露电流Ileak，该泄露电流值记为 Ileak0电流读取电路读取到的电流I的值为I = Ibit+Ileak，其中，只有rtit是存储单元cell2中存储信息的反映，所以泄漏电流使得读取电流I不能精确反映出cell2的存储信息情况，这有可能导致信息读取错误，使存储器的读取精度不高。
技术实现思路
本专利技术解决是现有存储阵列单元信息读取方法精度不高的问题。为解决上述问题，本专利技术提供了一种存储阵列单元信息读取方法，包括，选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的多根连续位线，其中在所述被读取存储单元的两根位线分别施加第一读取电压和第二读取电压，所述第二读取电压高于第一读取电压；与施加所述第二读取电压的位线相邻的连续多根位线同时施加与所述第二读取电压相等的电压；比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储{曰息ο相应地，本专利技术还提供一种存储阵列单元信息读取系统，包括存储单元阵列、低电平产生电路、电流读取电路、位线选通装置和字线选通装置，还包括多个电压跟随电路， 所述电压跟随电路与所述电流读取电路提供相同的电压，高于所述低电平产生电路产生的电压；所述低电平产生电路、电流读取电路与电压跟随电路同步工作；所述字线选通装置选通被读取存储单元的字线；所述位线选通装置根据位线选通控制信号同时选通所述存储阵列的多根连续位线；所述低电平产生电路通过位线选通装置与被读取存储阵列单元的一根位线连接； 所述电流读取电路通过位线选通装置与被读取存储阵列单元的另一根位线连接；多个电压跟随电路的输入端接电流读取电路的电压输出端，每个电压跟随电路的输出端通过位线选通装置分别与被读取存储单元的连接电流读取电路的位线相邻的连续多根位线连接。与现有技术相比，本专利技术具有下列优点本专利技术提供了一种存储阵列单元信息读取方法，采用的技术方案是同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线，其中，在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加高于第一读取电压的第二读取电压；与所述被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻的连续多根位线施加与所述第二读取电压相等的电压；比较被读取存储单元上产生的读取电流与预设电流值，确定所述被读取存储单元的存储信息。 与常规的读取方案相比，在被读取存储单元施加较第二读取电压的位线相邻的多根连续位线施加相等的第二读取电压，在与被读取存储单元相邻的多个存储单元两端不存在电位差，避免了相邻存储单元产生泄漏电流的问题，提高了存储单元的存储信息读取精度。附图说明通过附图所示，本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1为现有存储阵列单元信息读取方法读取一个存储单元的示意图；图2为本专利技术的存储阵列单元信息读取方法读取一个存储单元的示意图；图3为本专利技术存储阵列单元信息读取方法的低电平产生电路示意图；图4为本专利技术存储阵列单元信息读取方法的电流读取电路示意图；图5为本专利技术存储阵列单元信息读取方法的电流读取电路的电压钳位单元示意图；图6为本专利技术存储阵列单元信息读取方法的电压跟随电路示意图；图7为本专利技术存储阵列单元信息读取方法的位线选通装置连接示意图；图8为本专利技术存储阵列单元信息读取方法应用在整个存储阵列的示意图；图9为本专利技术存储阵列单元信息读取系统示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，常规的存储阵列信息读取方法是在被读取存储单元的一根位线上施加读取低电压，另一根位线上施加读取高电压，与施加高电压的位线相邻的其他位线上不施加任何信号，在给被读取存储单元的位线施加高电压的瞬间，与连接高电压信号的位线相邻的不施加任何信号的多根位线连接的存储单元的两端存在电势差，与被读取单元同一行的存储单元的字线被选通，这些字线被选通的存储单元相当于一个电阻，会在这些存储单元上产生泄漏电流，这样在电流读取电路所读取到的电流是流过被读取存储单元的电流与相邻的其他存储单元的泄露电流的和。但是，只有流过被读取存储单元的电流才是该被读取存储单元中存储信息的反映，与被读取存储单元相邻的其他存储单元上产生的泄露电流有可能导致被读取存储单元的存储信息读取错误。因此现有存储阵列信息读取方法使存储阵列单元的读取精度不高。为了提高存储阵列单元信息读取方法的读取精度，本专利技术提出一种新的存储阵列单元信息读取的方法，技术方案是在读取存储单元信息时，同时选通存储阵列的多根连续位线，在与被读取存储单元施加较高电压的位线相邻的连续多根位线施加相等的电压，消除与被读取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，包括选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的多根连续位线，其中在所述被读取存储单元的两根位线分别施加第一读取电压和第二读取电压，所述第二读取电压高于第一读取电压；与施加所述第二读取电压的位线相邻的连续多根位线同时施加与所述第二读取电压相等的电压；比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信肩、ο2.根据权利要求1所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述与施加所述第二读取电压的位线相邻的连续多根位线同时施加与所述第二读取电压相等的电压为运算放大器的同相输入端输入所述第二读取电压，经过运算放大器运算后为连接在运算放大器的输出端的位线施加与所述第二读取电压相等的电压，所述运算放大器的反相输入端连接在输出端。3.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述选通存储阵列的多根连续位线为多个选通控制信号控制多个MOS晶体管导通，其中，一个选通控制信号控制一个MOS晶体管的源极和漏极导通，使连接在一个MOS晶体管的源极的位线施加连接在漏极的所述低电压、高电压或伪电压。4.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压为控制源极接地的MOS晶体管的源极和漏极导通为所述位线施加第一读取电压。5.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述在所述被读取存储单元的一根位线施加第二读取电压为电源电压经过包括2个PMOS晶体管的电流镜的一支后被电压钳位电路钳位为所述第二读取电压，并将所述第二读取电压施加在所述被读取存储单元的一根位线。6.根据权利要求5所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息为读取在被读取存储单元施加第二读取电压的位线的读取电流，包括被读取存储单元上产生的电流在所述电流镜的另一支产生镜像电流；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈巍巍，陈岚，龙爽，杨诗洋，崔雅洁，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：