新型MOSFMT驱动模块制造技术

本实用新型专利技术公开了新型MOSFMT驱动模块，包括陶瓷PCB线路板，陶瓷PCB线路板上设置有直插型的MOSFMT管、电容组和其它电器元件；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片与散热器是采用相同的材料一体成型本实用新型专利技术结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于直流无刷多相电机的驱动器和控制器领域尤其是新型MOSFMT驱动模块。
技术介绍
在直流无刷多相电机的驱动和控制器设计中，新型MOSFMT驱动模块多使用TO. 220封装的MOSFMT管并联并排连接方式安装在陶瓷PCB线路板上。MOSFMT管分为上、下桥臂管，电源线和电机线之间并联的MOSFMT称做上桥臂管，电源地线和电机线之间并联的 MOSFMT称做下桥臂管，上下桥臂管串成一线焊接在陶瓷PCB上，MOSFMT管的散热片成一平面压紧贴在散热器上。并联的上桥臂管的源极连接并联的下桥臂管的漏极；由于上、下桥臂管一般各由多封装的MOSFMT管并联而成，现有技术中一般来说，MOSFMT管安装在陶瓷 PCB板一侧，把MOSFMT管的散热片贴在陶瓷PCB板侧面的铝散热器上，用螺钉固定，加工和更换都比较麻烦；MOSFMT管并联密植连接方式时，存在安装压紧固定、有效散热和抗电磁干扰的问题。
技术实现思路
本技术为了解决直插型的MOSFMT器件并联密植连接方式时，存在的上述问题，在经过对现有方式和应用做过详细分析，对现有技术中MOSFMT管的安装连接方式做出重大改进，具体技术方案如下新型MOSFMT驱动模块，包括陶瓷PCB线路板，陶瓷PCB线路板上设置有直插型的 MOSFMT管、电容组和其它电器元件；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片与散热器是采用相同的材料一体成型。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，特征是所述散热器是“M"型散热器，MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述固定装置是“A”型卡簧。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述上桥臂管包括1 8个MOSFMT管；下桥臂管包括2 4个MOSFMT管。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或招基。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述MOSFMT管是N沟道型；所述其它电器元件包括控制信号输入端子、电源线端子、电机线端子、电源地线端子和驱动控制IC ；输入端子连接驱动控制IC ；驱动控制IC的上桥臂管栅极控制输出连接上桥臂管栅极，驱动控制IC 的下桥臂管栅极控制输出连接下桥臂管栅极；电源线端子连接上桥臂管的漏极；电源地线端子连接下桥臂管源极；电机线端子连接上桥臂管的源极和下桥臂管漏极；电容组为多个电容并联而成，并联连接在上桥臂管的漏极和下桥臂管源极之间。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述电容是电解电容。与现有技术相比，本技术结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定3装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。采用 2个“M’’型散热器时，在上、下桥臂管所在的两个“M”型散热器之问还留出电容的安装位置，使陶瓷PCB上印制线的走线距离短，高、低电压分离；解决了电磁干扰问题。附图说明图1是本技术实施例的正视图；图2是本技术实施例的侧视图；图3是本技术实施例的立体图。具体实施方式以下结合附图和实例对本技术进一步说明。如图1、图2、图3所示，新型MOSFMT驱动模块，包括陶瓷PCB线路板4，陶瓷PCB线路板上设置有直插型的MOSFMT管2、电容组和其它电器元件；MOSFMT管分为上、下桥臂管， 采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片与散热器是采用相同的材料一体成型。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，特征是所述散热器是“M"型散热器4，MOSFMT 管设在“M”型散热器相邻的栅之间。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述固定装置是“A”型卡簧3。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述上桥臂管包括1 8个MOSFMT管；下桥臂管包括2 4个MOSFMT管。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或招基。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述MOSFMT管是N沟道型；所述其它电器元件包括控制信号输入端子、电源线端子、电机线端子、电源地线端子和驱动控制IC ；输入端子连接驱动控制IC ；驱动控制IC的上桥臂管栅极控制输出连接上桥臂管栅极，驱动控制IC 的下桥臂管栅极控制输出连接下桥臂管栅极；电源线端子连接上桥臂管的漏极；电源地线端子连接下桥臂管源极；电机线端子连接上桥臂管的源极和下桥臂管漏极；电容组为多个电容并联而成，并联连接在上桥臂管的漏极和下桥臂管源极之间。所述的新型MOSFMT驱动模块，其中，所述电容5是电解电容。本实施例中上、下桥臂管匹配方式是NOSFMT管上4X与下4只，采用2个散热器。 实际使用中根据设计要求和器件选型而定，还可以是MOSFMT管上3只与下3只、上3只与下4只、上2只与下4只、上4只与下5只、上5只与下5只等，散热器的数量也可以米用1 个或多个。新型MOSFMT驱动模块，包括陶瓷PCB线路板4，板上布设有8个TO — 220封装的N沟道型MOSFMT管2、电容组和其它电器元件。MOSFMT管2分为4个上桥臂管和4个下桥臂管，采用并联密植方式安装在陶瓷PCB 4上，MOSFMT管2的散热片上贴有散热器。所述MOSFMT管2的散热片贴在散热器对应的面上用“A，型卡簧3卡紧，使散热片密贴在散热器对应的面上，达到很好的导热效果。所述散热器是“M，型铝型材散热器，MOSFMT管2设在 “M”型散热器1相邻的栅之间。上述其它电器元件包括控制信号输入端子、电源线端子、电机线端予、电源地线端子和驱动控制IC。并联的多个上桥臂管的散热片贴在一个“M”型散热器1上；并联的多个下桥臂管的散热片贴在另一个“M”型散热器1上；上、下桥臂管分布在陶瓷PCB4的两边，电容组布设在上、下桥臂管之间的陶瓷PCB4上。陶瓷PCB4固定在散热器1上。输入端子连接驱动控制IC。驱动控制IC的上桥臂管栅极控制输出连接上桥臂，驱动控制IC的下桥臂管栅极控制输出连接下桥臂管栅极。电源线端子连接上桥臂管的漏极； 电源地线端子连接下桥臂管源极；电机线端子连接上桥臂管的源极和下桥臂管漏极。电容组为多个电容5并联而成，并联连接在上桥臂管的漏极和下桥臂管源极之间；所述MOSFMT 管2以及其它电器元件之问通过陶瓷PCB4上的印制线连接。上述电容5是电解电容。 应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换， 而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。权利要求1.新型MOSFMT驱动模块，其特征是，包括陶瓷PCB线路板，陶瓷PCB线路板上设置有直插型的MOSFMT管、电容组和其它电器元件；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片与散热器是采用相同的材料一体成型。2.根据权利要求1所述的新型MOSFMT驱动模块，其特征是，所述散热器是“M"型散热器，MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。3.根据权利要求2所述的新型MOSFMT驱动模块，其特征是，所述固定装置是“A”型卡4.根据权利要求3所述的新型MOSFMT驱动模块，其特征是，所述上桥臂管包括1 8 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张素云，
申请(专利权)人：张素云，
类型：实用新型
国别省市：