一种石英晶体谐振器电极制造技术

一种石英晶体谐振器电极，包括设置于石英晶体的镀银电极，所述石英晶体的中线和镀银电极的中线偏移范围在0－0.1mm。所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极的镀银层。所述基础电极和镀银层之间还镀有一层镀铬膜。所述镀铬膜的厚度为50－100μm。所述镀银电极整体呈长方形。本实用新型专利技术中，石英晶体的中心位置与镀银电极的中心位置偏移量范围为0－0.1mm之间,并针对不同规格产品设计相应的偏移量，产品的电阻集中、温度测试无跳点,产品品质稳定。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石英晶体谐振器
，特别是涉及一种石英晶体谐振器电极。
技术介绍
石英材料制成的石英晶体谐振器，利用石英晶体的压电效应而产生稳定的频率， 其抗干扰性能好，而且精度和稳定度较高，被广泛应用于各类电子产品中，尤其是在需要振荡电路的电子设备中具有重要作用，例如在通信设备中作为频率发生器，在数据处理设备中作为时钟信号，或在特定设备的作为基准信号。由于石英晶体精确度高，因此在石英晶体的制造工程中对电极的位置精度要求极高。在对石英晶体镀银电极时，石英晶体的中心位置与镀银电极的中心位置的偏移量范围大小对产品品质影响很大，容易出现产品的电阻不集中、温度测试出现跳点等问题。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种石英晶体谐振器电极，电极偏移量小，产品品质稳定高效。本技术的目的通过以下技术措施实现。一种石英晶体谐振器电极，包括设置于石英晶体的镀银电极，所述石英晶体的中线和镀银电极的中线偏移范围在O — 0. 1mm。所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极的镀银层。所述基础电极和镀银层之间还镀有一层镀铬膜。所述镀铬膜的厚度为50 - 100 μ m。所述镀银电极整体呈长方形。本技术中，石英晶体的中心位置与镀银电极的中心位置偏移量范围为0 — 0. Imm之间，并针对不同规格产品设计相应的偏移量，产品的电阻集中、温度测试无跳点， 产 ΡΠΡΠ 质稳定。附图说明利用附图对本技术做进一步说明，但附图中的内容不构成对本技术的任何限制。图1是本技术的一个实施例的结构示意图。附图标记石英晶体1，镀银电极2，石英晶体的中线A，镀银电极的中线B，偏移范围S。具体实施方式结合以下实施例对本技术作进一步说明。实施例1本实施例的石英晶体谐振器电极如图1所示，包括设置于石英晶体1的镀银电极 2，所述石英晶体1的中线A和镀银电极2的中线B偏移范围S在0 — 0. 1mm。所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极的镀银层。所述基础电极和镀银层之间还镀有一层镀铬膜。所述镀铬膜的厚度为50 - 100 μ m。实施例2本实施例的石英晶体谐振器电极参照图1，在实施例1的基础上，所述镀银电极整体呈长方形。最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本技术的技术方案而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。权利要求1.一种石英晶体谐振器电极，其特征在于包括设置于石英晶体的镀银电极，所述石英晶体的中线和镀银电极的中线偏移范围在O — 0. 1mm。2.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器电极，其特征在于所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极的镀银层。3.根据权利要求2所述的石英晶体谐振器电极，其特征在于所述基础电极和镀银层之间还镀有一层镀铬膜。4.根据权利要求3所述的石英晶体谐振器电极，其特征在于所述镀铬膜的厚度为 50 - 100 μ m。5.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器电极，其特征在于所述镀银电极呈长方形。专利摘要一种石英晶体谐振器电极，包括设置于石英晶体的镀银电极，所述石英晶体的中线和镀银电极的中线偏移范围在0－0.1mm。所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极的镀银层。所述基础电极和镀银层之间还镀有一层镀铬膜。所述镀铬膜的厚度为50－100μm。所述镀银电极整体呈长方形。本技术中，石英晶体的中心位置与镀银电极的中心位置偏移量范围为0－0.1mm之间,并针对不同规格产品设计相应的偏移量，产品的电阻集中、温度测试无跳点,产品品质稳定。文档编号H03H9/125GK202197254SQ20112026906公开日2012年4月18日 申请日期2011年7月27日 优先权日2011年7月27日专利技术者杜自甫 申请人:广东惠伦晶体科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜自甫，
申请(专利权)人：广东惠伦晶体科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：