用于阻止半导体层混合的方法以及层状结构技术

一种半导体器件包括位于场效应晶体管的一个第一层与双极晶体管的一个第二层之间的一个蚀刻停止层，它们中的每一个包括至少一个基于砷的半导体层。一个p型层位于该第二层与该蚀刻停止层之间，并且该器件可以包括被沉积在该蚀刻停止层与该p型层之间的一个n型层。该p型层提供了一个电场，该电场抑制了该InGaP层与该第一和第二层中的多个层的混合。

【技术实现步骤摘要】
用于阻止半导体层混合的方法以及层状结构
技术介绍
已知重掺杂砷化镓(GaAs)的η型产生多种缺陷，这些缺陷可以移动贯穿整个半导体层。这些缺陷可以从它们起始的半导体层中移出进入一堆半导体层的所有其他层中。当移动进入其他层时，这些缺陷可以引起这些其他层与它们的掺杂剂轮廓相混合。层以及掺杂剂轮廓的这种混合是所不希望的，因为它可能改变材料特性，包括带隙、电导率，以及相对于未混合层的蚀刻速率。因此用于阻止混合的一种方法将是有很大益处的。当重掺杂的η型(例如，> lel8cm-3)GaAs被置于该半导体层堆中的任何位置时， 在外延生长期间，磷化铟镓(InGaP)以及基于砷的层(例如，GaAs、AlAs、InAs层以及所有它们的组合-如AlGaAS、InGaAS、AlInAS、等)典型地经历第V族元素(磷⑵以及砷(As)) 严重混合。也存在掺杂剂扩散以及存在第III族元素的混合。InGaP以及InAKiaAs层堆具有多种应用(用于半导体器件制造的蚀刻层，以及用于光学应用的分布式布拉格反射镜 (DBR)堆是许多实例中的两个)，其中这样的扩散和混合对于半导体器件的加工和/或功能是高度有害的。典型的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·S·斯特文斯，E·M·瑞德，C·R·鲁兹，
申请(专利权)人：寇平公司，
类型：发明
国别省市：