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一种半导体器件包括位于场效应晶体管的一个第一层与双极晶体管的一个第二层之间的一个蚀刻停止层，它们中的每一个包括至少一个基于砷的半导体层。一个p型层位于该第二层与该蚀刻停止层之间，并且该器件可以包括被沉积在该蚀刻停止层与该p型层之间的一个n型...
该专利属于寇平公司所有，仅供学习研究参考，未经过寇平公司授权不得商用。

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