一种IGBT吸收电容安装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT吸收电容安装结构，包括IGBT模块(1)、铜排(2)和吸收电容(3)，IGBT模块(1)安装在铜排(2)的一面并与铜排(2)电连接，吸收电容(3)安装在铜排(2)的另一面，铜排(2)与吸收电容(3)之间增设若干连接柱(4)，连接柱(4)一端与铜排(2)电连接，另一端凸出铜排(2)端面并与吸收电容(3)引脚端子(31)电连接，它结构简单，安装方便，解决了爬电距离不足问题，保证IGBT模块工作正常。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种IGBT吸收电容安装结构，属于电动汽车控制器领域。技术背景传统的IGBT吸收电容安装结构，包括IGBT模块、铜排和吸收电容，IGBT模块安装在铜排上，通常将吸收电容的引脚端子直接安装在铜排上，该结构爬电距离不足，容易击穿，损坏或者影响IGBT模块正常工作。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种IGBT吸收电容安装结构，它结构简单，安装方便， 解决了爬电距离不足问题，保证IGBT模块正常工作，提高可靠性。本技术的目的是通过以下的技术方案予以实现的。一种IGBT吸收电容安装结构，包括IGBT模块、铜排和吸收电容，IGBT模块安装在铜排的一面并与铜排电连接，吸收电容安装在铜排的另一面，铜排与吸收电容之间增设若干连接柱，连接柱一端与铜排电连接，另一端凸出铜排端面并与吸收电容引脚端子电连接。上述所述的铜排包括顶层绝缘、上层铜排、夹层绝缘层、下层铜排和底层绝缘，顶层绝缘安装在上层铜排端面，底层绝缘安装在下层铜排底面，夹层绝缘层安装在上层铜排和下层铜排之间。上述所述的在顶层绝缘上安装有电容垫板，电容垫板上凸出若干凸台，吸收电容的本体安装在凸台上，吸收电容引脚端子与凸出电容垫板端面的连接柱电连接。上述所述的若干连接柱是2个，一个安装在上层铜排上，另一个安装在下层铜排上。上述所述的连接柱是铜柱。上述所述的顶层绝缘、上层铜排、夹层绝缘层、下层铜排和底层绝缘是用胶水粘接成整体。 本技术与现有技术相比的有益效果是1)本技术在铜排与吸收电容之间增设若干连接柱，连接柱一端与铜排电连接，另一端凸出铜排端面并与吸收电容引脚端子电连接，结构简单，安装方便，解决了爬电距离不足问题，保证IGBT模块正常工作，提高可靠性；2)若干连接柱是2个，一个安装在上层铜排上，另一个安装在下层铜排上，结构设计合理，保证IGBT模块工作正常；3)连接柱是铜柱，连接性能好；4)顶层绝缘上安装有电容垫板，电容垫板上凸出若干凸台，吸收电容本体安装在凸台上，吸收电容引脚端子与凸出电容垫板端面的连接柱电连接，保护电容引脚端子，壁免引脚端子31因为长期震动而断裂，减震效果好；5)顶层绝缘、上层铜排、夹层绝缘层、下层铜排和底层绝缘是用胶水粘接成整体，简化安装工序，提高效率。附图说明图1是本技术的立体图；图2是本实用 新型的分解图；图3是本技术的结构示意图；图4是图3的A-A部分剖视图；图5是图4的B-B局部放大图。具体实施方式下面通过具体实施例并结合附图对本技术作进一步详细的描述。如图1、图2、图3、图4和图5所示，本技术的一种IGBT吸收电容安装结构，包括IGBT模块1、铜排2和吸收电容3，IGBT模块1安装在铜排2的一面并与铜排2电连接， 吸收电容3安装在铜排2的另一面，铜排2与吸收电容3之间增设若干连接柱4，连接柱4 一端与铜排2电连接，另一端凸出铜排2端面并与吸收电容3引脚端子31电连接；所述的铜排2包括顶层绝缘21、上层铜排22、夹层绝缘层23、下层铜排24和底层绝缘25，顶层绝缘21安装在上层铜排22端面，底层绝缘25安装在下层铜排24底面，夹层绝缘层23安装在上层铜排22和下层铜排24之间；在顶层绝缘21上安装有电容垫板5，电容垫板5上凸出若干凸台51，吸收电容3的本体32安装在凸台5上，吸收电容3引脚端子31与凸出电容垫板5端面的连接柱4电连接；若干连接柱4是2个，一个安装在上层铜排22上，另一个安装在下层铜排24上；所述的连接柱4是铜柱；顶层绝缘21、上层铜排22、夹层绝缘层23、下层铜排24和底层绝缘25是用胶水粘接成整体。本技术在铜排2与吸收电容3之间增设若干连接柱4，连接柱4 一端与铜排 2电连接，另一端凸出铜排2端面并与吸收电容3引脚端子31电连接，该结构简单，安装方便，保证吸收电容3与IGBT模块1良好连接并且有足够的爬电距离，同时可以对吸收电容 3起到一个限位固定作用，防止吸收电容3引脚端子31因为长期震动而断裂。权利要求1.一种IGBT吸收电容安装结构，包括IGBT模块(1)、铜排⑵和吸收电容(3)，IGBT 模块⑴安装在铜排⑵的一面并与铜排⑵电连接，吸收电容⑶安装在铜排⑵的另一面，其特征在于铜排(2)与吸收电容(3)之间增设若干连接柱(4)，连接柱(4) 一端与铜排⑵电连接，另一端凸出铜排⑵端面并与吸收电容⑶引脚端子(31)电连接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT吸收电容安装结构，其特征在于所述的铜排(2) 包括顶层绝缘(21)、上层铜排(22)、夹层绝缘层(23)、下层铜排(24)和底层绝缘(25)，顶层绝缘(21)安装在上层铜排(22)端面，底层绝缘(25)安装在下层铜排(24)底面，夹层绝缘层(23)安装在上层铜排(22)和下层铜排(24)之间。3.根据权利要求2所述的一种IGBT吸收电容安装结构，其特征在于在顶层绝缘(21) 上安装有电容垫板(5)，电容垫板(5)上凸出若干凸台(51)，吸收电容(3)的本体(32)安装在凸台(5)上，吸收电容(3)引脚端子(31)与凸出电容垫板(5)端面的连接柱⑷电连接。4.根据权利要求3所述的一种IGBT吸收电容安装结构，其特征在于若干连接柱(4) 是2个，一个安装在上层铜排(22)上，另一个安装在下层铜排(24)上。5.根据权利要求4所述的一种IGBT吸收电容安装结构，其特征在于连接柱(4)是铜柱。6.根据权利要求2所述的一种IGBT吸收电容安装结构，其特征在于顶层绝缘(21)、 上层铜排(22)、夹层绝缘层(23)、下层铜排(24)和底层绝缘(25)是用胶水粘接成整体。专利摘要本技术公开了一种IGBT吸收电容安装结构，包括IGBT模块(1)、铜排(2)和吸收电容(3)，IGBT模块(1)安装在铜排(2)的一面并与铜排(2)电连接，吸收电容(3)安装在铜排(2)的另一面，铜排(2)与吸收电容(3)之间增设若干连接柱(4)，连接柱(4)一端与铜排(2)电连接，另一端凸出铜排(2)端面并与吸收电容(3)引脚端子(31)电连接，它结构简单，安装方便，解决了爬电距离不足问题，保证IGBT模块工作正常。文档编号H01G2/02GK202189906SQ20112027755公开日2012年4月11日 申请日期2011年8月2日 优先权日2011年8月2日专利技术者刘科 申请人:大洋电机新动力科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科，
申请(专利权)人：大洋电机新动力科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：