离子注入调整隔离氧化物应力的浅沟槽隔离结构制备方法技术

本发明专利技术公开了一种离子注入调整隔离氧化物应力的浅沟槽隔离结构制备方法，其中，包括以下步骤：步骤a、于一半导体衬底上形成一层保护层；步骤b、于所述半导体衬底及保护层上形成用于隔离PMOS有源区和NMOS有源区的沟槽；步骤c、于所述沟槽内形成填充材料层，使所述沟槽为所述填充材料层充满，形成浅沟槽隔离结构；步骤d、去除所述保护层表面多余的填充材料。本发明专利技术的有益效果是：对采用HARP工艺做浅槽隔离的器件，对PMOS周围的隔离氧化物采用离子注入调整应力从受拉变为受压，从而使PMOS沟道区域应力状态改变，性能提高，工艺简单可行，有效克服选择性浅槽填充的工艺复杂性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法，尤其是一种用于半导体制造领域的。
技术介绍
亚常压化学汽相淀积(SA-CAD)和高浓度等离子体化学汽相淀积(HDP-CVD)工艺已广泛地用于半导体产业中，应用之一就是浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)，即用高质量二氧化硅(Si02)来隔离有源区(Active Areas, AA) 对小于90nm的技术节点，这两种CVD技术表现出一些差异，但SA-CVD所具有的填充能力强、Si02膜应力可调及不存在对底层材料造成损坏等方面的优点使其成为70nm节点以下半导体器件的优选 STI填充方案。由于未来技术节点的降低而不断提高STI纵宽比，所以HDP-CVD Si02工艺的发展空间越来越小，人们开始采用SA-CVD工艺，即在540°C温度下的03/TE0S化学组分的高深宽比工艺(HARP)。在STI应用中，采用HARP取代HDP的主要优点是能够保持优良的 STI填充能力并可拓展到45nm技术节点和更低的节点上。HARP填充的STI具有拉伸应力， 该拉伸应力将会缓冲NMOS源漏极掺杂所引起的压缩应力，从而减小NMO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑春生，张文广，徐强，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：