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本发明公开了一种离子注入调整隔离氧化物应力的浅沟槽隔离结构制备方法，其中，包括以下步骤：步骤a、于一半导体衬底上形成一层保护层；步骤b、于所述半导体衬底及保护层上形成用于隔离PMOS有源区和NMOS有源区的沟槽；步骤c、于所述沟槽内形成填充...
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