一种太阳能硅片承载架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能硅片承载架，该硅片承载架包括基座、方槽和通孔，在基座的侧面设有一平面，平面作为基座的定向面，方槽开设置在基座的上表面，通孔连接所述方槽，该方槽的最宽面与基座的定向面平行。该硅片承载架可使太阳能硅片在整个清洗过程中斜靠在方槽内壁，与方槽只在边缘处接触，使整个硅片得到有效清洗，并且不会在沸煮过程中发生晶面翻转；由于方槽连有通孔，使清洗过程中方槽内的清洗液体能有效流动，避免清洗下的颗粒沉积在方槽内对太阳能硅片产生二次污染，同时，在清洗结束时能让清洗液体快速流出方槽；使用提手可方便地将基座从清洗液中取出。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能硅片加工器件，具体涉及一种太阳能硅片承载架。
技术介绍
作为宽禁带半导体代表的SiC单太阳能硅片，由于其为化合物半导体，其(001)方向太阳能硅片的上下两个面分别为Si面和C面，两个面的物理化学性质不同，在应用中必须严格区分不同的晶面，一旦混淆SiC的晶面后，要重新辨别极其困难。实验室中往往需要使用到各种不同厚度和长度的SiC太阳能硅片，而在清洗，沸煮，吹干等步骤中极易发生晶面的混淆，从而使实验失败。因此，一种能在清洗、干燥等太阳能硅片处理过程中都能保证不同大小形状太阳能硅片方向一致的清洗干燥架成为各个SiC材料器件实验室所急需的设备。目前存在的太阳能硅片清洗架主要为半导体制造工厂用太阳能硅片清洗架，这种太阳能硅片清洗架仅针对标准尺寸的完整Si太阳能硅片(如3英寸、4英寸等)设计，尺寸单一，且Si为非极性单质晶体，其太阳能硅片正反两个面物理化学性质完全一致，不涉及正反面的问题，不适用于SiC单太阳能硅片的清洗、干燥。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种使太阳能硅片在清洗和干燥时不发生面翻转的太阳能硅片承载架。为实现上述目的，本技术的技术方案是提供了一种太阳能硅片承载架，所述太阳能硅片承载架包括基座、方槽和通孔，在所述基座的侧面设有一平面，所述平面作为基座的定向面，所述方槽开设置在所述基座的上表面，所述通孔连接所述方槽，其特征在于， 所述方槽的最宽面与所述基座的定向面平行。作为优选的技术方案，所述基座为圆柱体。作为优选的技术方案，所述方槽具有不同的长度、宽度和深度。作为优选的技术方案，所述通孔垂直于所述方槽的底面或侧面。作为优选的技术方案，所述太阳能硅片承载架还包括与所述基座连接的提手。进一步优选的技术方案，所述基座与所述提手以可拆卸方式连接。进一步优选的技术方案，所述可拆卸方式连接是通过螺纹连接。进一步优选的技术方案，所述基座和所述提手的制备材料为耐腐蚀材料。进一步优选的技术方案，所述耐腐蚀材料为聚四氟乙烯或有机玻璃。本技术的优点和有益效果在于(1)太阳能硅片在整个清洗过程中斜靠在方槽内壁，与方槽只在边缘处接触，使整个太阳能硅片得到有效清洗，并且不会在沸煮过程中发生晶面翻转；(2)方槽连有通孔，使清洗过程中方槽内的清洗液体能有效流动，避免清洗下的颗粒沉积在方槽内对太阳能硅片产生二次污染，同时，在清洗结束时能让清洗液体快速流出方槽；(3)使用提手可方便地将基座从清洗液中取出。附图说明图1是本技术太阳能硅片承载架的结构示意图；图2是本技术太阳能硅片承载架中方槽的断面图。图中1、基座；2、方槽；3、通孔；4、提手；5、平面。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。如图1所示，本技术太阳能硅片承载架，包括基座1、方槽2，基座1为直径 60mm，高20mm的圆柱体，在基座1的侧面设有一平面5，平面5作为基座1的定向面，定向面边长为33. 17mm ；方槽2开在基座1上表面，方槽2最宽面与基座1的定向面平行，方槽2 宽度为2mm，深度包括5mm、IOmm两种类型，长度包括6mm、11mm、16mm和^mm四种类型。如图2所示，太阳能硅片承载架，还包括通孔3，通孔3连接方槽2，通孔3垂直于方槽2底面，且通孔3为直径2mm的圆孔。如图1所示，太阳能硅片承载架还包括与基座1连接的提手4，基座1与提手4以可拆卸方式连接，该可拆卸方式连接是通过螺纹连接。基座1和提手4的制备材料为聚四氟乙烯，以防止清洗时溶液介质对基座1腐蚀， 同时可避免干燥时温度过高时使基座1受损。在实际使用中采用此承载架清洗了如下尺寸的太阳能硅片品2mmX5mmX0.5mm、 IOmmX IOmmX 0. 5mm,5mmX IOmmX 0. 5mm 和 IOmmX 15mmX0. 5mm 的 SiC 太阳能硅片。在超声清洗、酸碱溶液中沸煮、去离子水冲洗、氮气吹干等过程中，太阳能硅片没有发生面翻转， 有效地保证了后续操作时太阳能硅片方向的准确性。检测表明使用此清洗干燥架采用标准 RCA工艺清洗的SiC太阳能硅片具有非常好的洁净度。由于承载架基座1为圆柱形，在基座1的侧面设有一平面5，平面5作为基座1的定向面，可根据太阳能硅片的大小和形状设计出盛放不同尺寸太阳能硅片的方槽，这些方槽为承载架的基本单元，方槽开在基座上表面，方槽最宽面与基座的走向面平行。方槽尺寸的基本原则是太阳能硅片与方槽底面夹角在45° -75°之间；太阳能硅片上顶点离方槽顶部距离为2mm 5mm。在以上设计中，太阳能硅片在整个清洗过程中将保持斜靠在方槽内壁，与方槽始终只在边缘有很小的线接触，这样能保证整个太阳能硅片得到有效的清洗，并且不会在沸煮过程中发生晶面的翻转。在每个盛放太阳能硅片的方槽底部相连有通孔。通孔截面为圆形，直径在1. 5mm 至2. 5mm之间。通孔连接各个方槽，在超声，沸煮等清洗过程中，方槽内的清洗液体介质能有效产生流动，和整个烧杯中的清洗液产生交换，避免了清洗下的颗粒等污物沉积在方槽内对太阳能硅片产生二次污染，保证了每个方槽中的太阳能硅片都得到有效的清洗。在清洗干燥架从液体介质中取出时，通孔能让液体介质快速的流出而不在方槽内残留。在基座的边缘对称地开有两个螺纹孔，并配有采用聚四氟乙烯制作的相应的螺4杆。这样就能通过螺杆方便地将基座从盛有清洗液的烧杯等容器中取出。对SiC单太阳能硅片进行有效的清洗必须经过以下几个步骤(1)四氯化碳超声清洗，丙酮超声清洗，硫酸、双氧水和纯水混合溶液的加热超声清洗，盐酸、双氧水和纯水混合溶液的加热超声清洗，氨水、双氧水和纯水混合溶液的加热超声清洗；(2)氢氟酸刻蚀；(3)纯水的冲洗，氮气吹干；(4)烘箱干燥。在这些过程中涉及硫酸、盐酸、氢氟酸和氨水等酸碱的腐蚀，选择聚四氟乙烯作为基座材料能有效的防止这些溶液介质的腐蚀。同时，聚四氟乙烯的正常工作的最高温度达到250°C，能承受上述清洗过程中涉及的加热沸煮和烘箱烘烤的温度。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。权利要求1.一种太阳能硅片承载架，所述太阳能硅片承载架包括基座、方槽和通孔，在所述基座的侧面设有一平面，所述平面作为基座的定向面，所述方槽开设置在所述基座的上表面，所述通孔连接所述方槽，其特征在于，所述方槽的最宽面与所述基座的定向面平行。2.如权利要求1所述的太阳能硅片承载架，其特征在于，所述基座为圆柱体。3.如权利要求1所述的太阳能硅片承载架，其特征在于，所述方槽具有不同的长度、宽度和深度。4.如权利要求1所述的太阳能硅片承载架，其特征在于，所述通孔垂直于所述方槽的底面或侧面。5.如权利要求1所述的太阳能硅片承载架，其特征在于，所述太阳能硅片承载架还包括与所述基座连接的提手。6.如权利要求5所述的太阳能硅片承载架，其特征在于，所述基座与所述提手以可拆卸方式连接。7.如权利要求6所述的太阳能硅片承载架，其特征在于，所述可拆卸方式连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈彪，李向清，胡德良，
申请(专利权)人：江阴市爱多光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：