一种太阳能硅片研磨盘的测量装置制造方法及图纸

技术编号:7257203 阅读:144 留言:0更新日期:2012-04-13 00:41
本实用新型专利技术公开了一种太阳能硅片研磨盘的测量装置,该装置包括底座以及固定连接在底座上的把持部,在底座上依次间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪,所述的底座为方形平台或为圆形平台。由于该太阳能硅片研磨盘的测量装置在同一尺底座上安装有三个平整度测量仪,则进行一次测量就可以反应出该位置的平整度,而无须像现有技术中,需要分别测量三次,才能获取下研磨盘面的平面精度。因此,本实用新型专利技术极大地提高了研磨盘面平整度检测速度,有效地提高了太阳能硅片加工的速度,同时还避免分次测量所造成的测量误差,甚至由于操作失误造成的测量错误。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及检测器件,具体涉及一种太阳能硅片研磨盘的测量装置
技术介绍
由于太阳能硅片是比较精细的产品,其精度要求高,因此,用于对太阳能硅片进行研磨加工的研磨盘的精度也很高,一般来说,如果研磨盘面平面精度超出范围(9.6S: 0. Olmm ;4S/4B/6S/6B :0. 005mm),就需将其用修盘机进行修正,以免加工出不合格产品;而目前对于研磨盘面平整度的测量,一般是使用一个千分表分别测量该下研磨盘面不同位置的刻度,再对其进行比较,以获得下研磨盘面的平面精度,由此可知,这种方法不仅复杂,难以操作,而且结果也不是很准确,即太阳能硅片的研磨加工次品率目前还得不到有效的控制,极大地影响了太阳能硅片加工的工厂化生产。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种太阳能硅片研磨盘的测量装置,其通过在底座上间隔地安装三个平整度测量仪,以分别测量出研磨盘面内边缘、内部以及外边缘三者对应的刻度值,再对前述获得的三个刻度值进行对比即可知,研磨盘面的平整度是否满足晶片研磨加工的需求。为实现上述目的,本技术的技术方案是提供了一种太阳能硅片研磨盘的测量装置,其特征在于,所述装置包括底座以及固定连接在底座上的把持部,在所述底座上依次间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪,所述的底座为方形平台或为圆形平台。作为优选的技术方案,所述平整度测量仪为千分表量测尺。作为优选的技术方案,所述平整度测量仪为百分表测量尺。本技术的优点和有益效果在于由于该太阳能硅片研磨盘的测量装置在同一尺底座上安装有三个平整度测量仪,则进行一次测量就可以反应出该位置的平整度,而无须像现有技术中,需要分别测量三次,才能获取下研磨盘面的平面精度。因此,本技术极大地提高了研磨盘面平整度检测速度,有效地提高了太阳能硅片加工的速度,同时还避免分次测量所造成的测量误差,甚至由于操作失误造成的测量错误。附图说明图1是本技术太阳能硅片研磨盘的测量装置的结构示意图。图中11、内边缘测量仪;12、内部测量仪;13、外边缘测量仪;2、把持部;3、底座。具体实施方式以下结合附图和实施例,对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案,而不能以此来限制本技术的保护范围。如图1所示,本技术所述的太阳能硅片研磨盘的测量装置,包括底座以及固定连接在尺底座上的把持部,在所述底座上依次间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪,所述的底座为方形平台或为圆形平台。即图中所示的内边缘测量仪11、内部测量仪12和外边缘测量仪13,且内边缘测量仪11、内部测量仪 12和外边缘测量仪13可以是千分表量测尺,也可以是百分表测量尺。以上所述仅是本技术的优选实施方式,应当指出,对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本技术技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。权利要求1.一种太阳能硅片研磨盘的测量装置,其特征在于,所述装置包括底座以及固定连接在底座上的把持部,在所述底座上依次间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪,所述的底座为方形平台或为圆形平台。2.如权利要求1所述的太阳能硅片研磨盘的测量装置,其特征在于,所述平整度测量仪为千分表量测尺。3.如权利要求1所述的太阳能硅片研磨盘的测量装置,其特征在于,所述平整度测量仪为百分表测量尺。专利摘要本技术公开了一种太阳能硅片研磨盘的测量装置,该装置包括底座以及固定连接在底座上的把持部,在底座上依次间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪,所述的底座为方形平台或为圆形平台。由于该太阳能硅片研磨盘的测量装置在同一尺底座上安装有三个平整度测量仪,则进行一次测量就可以反应出该位置的平整度,而无须像现有技术中,需要分别测量三次,才能获取下研磨盘面的平面精度。因此,本技术极大地提高了研磨盘面平整度检测速度,有效地提高了太阳能硅片加工的速度,同时还避免分次测量所造成的测量误差,甚至由于操作失误造成的测量错误。文档编号G01B5/28GK202188822SQ20112026208公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月22日 优先权日2011年7月22日专利技术者李向清, 沈彪, 胡德良 申请人:江阴市爱多光伏科技有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈彪李向清胡德良
申请(专利权)人:江阴市爱多光伏科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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