用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片上涂覆底部抗反射涂层；以第一温度对晶片烘烤持续第一时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第一厚度；以第二温度对晶片烘烤持续第二时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第二厚度；使用第一厚度和第二厚度来测量底部抗反射涂层的材料的挥发特性。根据本发明专利技术的方法，可以在半导体制造过程中，对于不同底部抗反射涂层材料的“挥发度”特性进行测量。能够保证在进行测量和分析后得出准确的结论，有助于通过简便的步骤得到底部抗反射涂层材料的最优方案，用以选择最低“挥发度”特性的底部抗反射涂层材料，从而降低底部抗反射涂层导致的机台故障等风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
随着超大规模集成电路工艺的发展，半导体工艺现已经进入了超深亚微米时代。 在半导体制造工艺中，高度吸收性抗反射涂层在光刻法中的使用是减少由光从高度反射性衬底的背反射产生的问题的简单方法。背反射性的两个主要缺点是薄膜干涉效应和反射刻痕。当抗蚀剂的厚度变化时，薄膜干涉或驻波导致由抗蚀剂膜中总光强度变化引起临界线宽度尺寸的变化。当在包含表面形态特征的器件表面通过光刻胶形成图案时，反射刻痕变得更加严重，所述表面形态特征通过光刻胶膜散射光，导致线宽度变化，并且在极端情况下，形成具有完全光刻胶损失的区域。底部抗反射涂层(BARC)的使用提供了消除反射率的最好解决方案。该方案是将底部抗反射涂层涂覆在衬底上，然后在抗反射涂层的上方涂覆一层光刻胶，将光刻胶成像式曝光并显影，然后典型地刻蚀在曝光区域中的抗反射涂层并因此将光刻胶图案转印到衬底上。现有技术中已知的大多数抗反射涂层设计为能被干蚀。与光刻胶相比，抗反射膜的蚀刻速率需要相对高，使得蚀刻了抗反射膜而没有在蚀刻工艺期间过度损失抗蚀剂膜。在使用底部抗反射涂层时需要对其进行高温烘烤，用以使其产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗大杰，安辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：