一种发光二极管，包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片，所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极，所述发光二极管芯片包括一第一半导体层、围绕于第一半导体层外围的一发光层及围绕于发光层外围的一第二半导体层，所述基座的第一电极与第二电极绝缘、间隔设置，该第一电极直接与第一半导体层电性相连，该第二电极直接与第二半导体层电性相连。上述发光二极管在基座上形成绝缘、间隔设置的第一电极及第二电极，该第一电极直接与所述第一半导体层电性相连，该第二电极直接与所述第二半导体层电性相连，使得所述发光二极管无需设置导线与基座的电极相连，从而节省了在发光二极管上设置导线的制程。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管。
技术介绍
发光二极管通常包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一半导体层与第二半导体层之间的发光层、设置在第一半导体层表面上的第一电极、及设置在第二半导体层表面上的第二电极。上述发光二极管的电极分别通过设置导线与外界电源负极与正极相连时，发光层即可发光。发光层发出的光线可从第一半导体层直接射出，或经反射后再经第一半导体层射出。然而，由于导线本身直径很小，在设置导线的过程中或后续封装过程中有时会出现导线断裂的情况，导致发光二极管无法使用。而且，发光二极管在第一半导体层及第二半导体层均设置有导线，使得导线出现上述断裂情况的几率会有所上升。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种发生故障几率较低的发光二极管。一种发光二极管，包括基座及设置于该基座上的发光二极管芯片，所述基座包括本体、形成于该本体上的第一电极及第二电极，所述发光二极管芯片包括第一半导体层、围绕于第一半导体层外围的发光层及围绕于发光层外围的第二半导体层，所述基座的第一电极与第二电极绝缘、间隔设置，该第一电极直接与第一半导体层电性相连，该第二电极直接与第二半导体层电性相连。上述发光二极管在基座上形成绝缘、间隔设置的第一电极及第二电极，该第一电极直接与所述第一半导体层电性相连，该第二电极直接与所述第二半导体层电性相连，使得所述发光二极管无需设置导线与基座的电极相连，从而节省了在发光二极管上设置导线的制程。而且，所述第一半导体层、第二半导体层直接与基座相接，可以提高所述发光二极管芯片与基座之间的传热效率。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。 附图说明图1是本专利技术第一实施例的发光二极管的立体组装图。图2是图1中的发光二极管的元件分解图。图3本专利技术第二实施例的发光二极管的发光二极管芯片的剖面示意图。主要元件符号说明权利要求1.一种发光二极管，包括基座及设置于该基座上的发光二极管芯片，所述基座包括本体、形成于该本体上的第一电极及第二电极，其特征在于所述发光二极管芯片包括第一半导体层、围绕于第一半导体层外围的发光层及围绕于发光层外围的第二半导体层，所述基座的第一电极与第二电极绝缘、间隔设置，该第一电极直接与第一半导体层电性相连，该第二电极直接与第二半导体层电性相连。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述本体的顶部向下凹陷形成一容置部，所述发光二极管芯片容置于该容置部内。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述第一半导体层的底面与第一电极相贴合。4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于所述第一半导体层的底面与所述第一电极在形状、尺寸及位置上相对应一致。5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述第二半导体层的底面与第二电极相贴合。6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于所述第二半导体层的底面与所述第二电极在形状、尺寸及位置上相对应一致。7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述第一半导体层位于发光二极管芯片的最内层，所述第二半导体层位于发光二极管芯片的最外层，所述发光层夹置于第一半导体层与第二半导体层之间。8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述第二半导体层环绕发光层设置， 所述发光层环绕第一半导体层设置。9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述第二半导体层将发光层罩置于内，所述发光层将第一半导体层罩置于内。10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述发光二极管芯片为氮化镓系 III-V族化合物半导体，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。全文摘要一种发光二极管，包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片，所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极，所述发光二极管芯片包括一第一半导体层、围绕于第一半导体层外围的一发光层及围绕于发光层外围的一第二半导体层，所述基座的第一电极与第二电极绝缘、间隔设置，该第一电极直接与第一半导体层电性相连，该第二电极直接与第二半导体层电性相连。上述发光二极管在基座上形成绝缘、间隔设置的第一电极及第二电极，该第一电极直接与所述第一半导体层电性相连，该第二电极直接与所述第二半导体层电性相连，使得所述发光二极管无需设置导线与基座的电极相连，从而节省了在发光二极管上设置导线的制程。文档编号H01L33/62GK102386314SQ201010266878公开日2012年3月21日 申请日期2010年8月30日 优先权日2010年8月30日专利技术者张国正 申请人:富士迈半导体精密工业(上海)有限公司, 沛鑫能源科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张国正，
申请(专利权)人：富士迈半导体精密工业上海有限公司，沛鑫能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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