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一种发光二极管，包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片，所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极，所述发光二极管芯片包括一第一半导体层、围绕于第一半导体层外围的一发光层及围绕于发光层外围的一第二半导体层，所述基座的第...该专利属于富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司授权不得商用。