扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术涉及一种扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法，在扩散工艺处理完之后，并不立即去除正面由于扩散所形成的硅氧化层（如ＢＳＧ、ＰＳＧ），而是在该氧化层上再镀一层薄膜，以此双层膜作为后续快速去除背面结以及背扩散制背面电场工序中的掩膜使用。然后在后清洗工序中用氢氟酸将正面的薄膜、硅氧化层层及背面的硅氧化层一并去除。采用本发明专利技术可以快速去除扩散形成的背结，优化生产工艺流程，大幅缩短的电池生产制造时间，可以进行大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高效单晶硅太阳能电池的生产工艺，尤其是一种高效单晶硅太阳能电池的生产工艺。
技术介绍
相对于P型电池，N型电池具有光致衰减的效率损失小，更耐金属杂质的污染等特点。现有的高效电池都是在N型基底上实现的。N型B结电池的硼扩散温度高，时间长，形成的背结结深较深，普通产线的后清洗步骤很难将其去除干净。同时，现有硅电池生产工艺中，扩散后都是采用立即去除磷硅玻璃或硼硅玻璃以及刻边的处理，而在后续需要磷扩散或者鹏扩散制背电场的时候，则会再另外采用热氧化法生长Si02或者PECVD工艺沉积SiNx 的方法在正面加一层掩膜，生产工艺步骤复杂，且生产制造时间较长，尤其其中热氧化法生长Si02加工时间一般都在2到3小时。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提出一种快速低成本解决B结N型电池去除背结的方法。本专利技术所采用的技术方案为一种， 其特征在于包括以下步骤1)硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2)扩散形成 P-N 结，方阻 20-100ohm/Sq ；3)保留硅氧化层的同时正面PECVD沉积SiNx，SiO2或A1203薄膜；4)背面场扩散，方阻为30-150ohm/sq ；5本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法，其特征在于包括以下步骤：１）硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；２）扩散形成Ｐ－Ｎ结，方阻２０－１００ｏｈｍ／Ｓｑ；３）保留硅氧化层的同时正面ＰＥＣＶＤ沉积薄膜；４）背面场扩散，方阻为３０－１５０ｏｈｍ／ｓｑ；５）用ＨＦ溶液清洗去除正面薄膜、硅氧化层及背面的硅氧化层；６）等离子刻蚀或激光刻边；７）正面镀Ａｌ２Ｏ３钝化膜及ＳｉＮｘ减反钝化膜，背面沉积ＳｉＮｘ薄膜或ＳｉＯ２与ＳｉＮｘ的叠层膜；８）正面印刷金属栅线，然后烘干；背面印刷金属栅线，然后烧结，测试。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈艳，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32