一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法技术

本发明专利技术公开了一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法，属于单晶生长领域。其特点是所采用的热解氮化硼坩埚几何结构为等直径圆筒状，直径大小为50-150mm，高度为200-300mm。在垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法生长GaAs晶体的过程中，与PBN坩埚直径相同的GaAs籽晶安装于坩埚底部，熔体在籽晶的基础上不断析晶生长，省去了传统PBN坩埚生长GaAs晶体必需的放肩过程，因而在晶体生长过程中消除了由于放肩引起的热应力及GaAs小面的快速发育，大大降低了GaAs晶体中出现多晶或孪晶的几率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓(GaAs)晶体生长的方法，属于晶体生长领域。
技术介绍
GaAs晶体是一种重要的化合物半导体材料，是第二代半导体的典型代表，其地位仅次于Si单晶。与Si相比，GaAs的带隙较大、电子迁移率和饱和速度高，因此用GaAs制成的电子器件比相应Si器件的工作速度快、工作频率高且具有更宽的工作温度范围。这使得GaAs取代Si成为了制作现代超高速电子器件和电路的最重要半导体材料。近几年来， GaAs材料及其相关产业发展迅速，其应用领域相当广泛，如可用于制作无线通讯、光纤通讯、汽车电子等微波器件，可用于制成发光二极管、激光器和其他一些光电子器件。GaAs材料及相关产业在2010年的产值已超过了 200亿美元，未来几年仍将保持强劲的增长势头， 前景十分诱人。为获得GaAs晶体，科学家经过半个多世纪的努力，至今已开发出多种生长GaAs晶体的方法。比较成功的工业化生长技术主要有液封直拉法(LEC)、水平布里支曼法(HB)、 垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法(VGF/VB)和蒸气压控制直拉法(VCZ)。其中VGF/VB法因其独特的优势而成为当今GaAs晶体生本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＰＢＮ坩埚，其特征在于所述的ＰＢＮ坩埚为等直径圆筒状，坩埚一端封口，另一端开口，封口的一端为籽晶槽所处位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金敏，徐家跃，房永征，何庆波，申慧，
申请(专利权)人：上海应用技术学院，
类型：发明
国别省市：31