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本发明公开了一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法，属于单晶生长领域。其特点是所采用的热解氮化硼坩埚几何结构为等直径圆筒状，直径大小为50-150mm，高度为200-300mm。在垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法生长GaAs晶体的过程...
该专利属于上海应用技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过上海应用技术学院授权不得商用。

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