【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子应用的氘代化合物相关专利申请本专利申请根据35 U. S. C. § 119(e)，要求2009年2月27日提交的美国临时申请 No. 61/156，181的优先权，所述文献全文以引用方式并入本文。
技术介绍
公开领域本公开涉及至少部分氘代的蒽衍生物化合物。它还涉及其中活性层包含此类化合物的电子器件。相关领域说明发光的有机电子器件例如组成显示器的发光二极管存在于许多不同种类的电子设备中。在所有的此类器件中，有机活性层均被夹置在两个电接触层之间。电接触层中的至少一个是透光的，使得光可穿过该电接触层。当在整个电接触层上施加电流时，有机活性层透过该透光的电接触层发射光。已知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分。已知诸如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物等简单有机分子显示具有电致发光性。半导体共轭聚合物已被用作电致发光组分，例如在美国专利公开5，247，190、美国专利公开5，408，109和公布的欧洲专利申请443 861中公开的。在许多情况下，电致发光化合物存在于基质材料中。持续需要新型基质化合物。专利技术概述本文提供了具有至少一个D的芳基取代的蒽。本文还提供...
【技术保护点】
１．芳基取代的蒽化合物，所述化合物具有至少一个Ｄ。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·莱克洛克斯，A·费尼莫尔，高卫英，N·S·拉杜，W·吴，V·罗斯托弗采夫，M·H·小霍华德，
申请(专利权)人：EI内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US
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