用于电子应用的氘代化合物制造技术

技术编号:7675694 阅读:230 留言:0更新日期:2012-08-12 16:28
本发明专利技术涉及可用于电子应用的氘代吲哚并咔唑化合物。本发明专利技术还涉及活性层包含此类氘代化合物的电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及至少部分地为氘代的吲哚并咔唑衍生化合物。本专利技术还涉及至少一个活性层包含此类化合物的电子器件。相关领域说明发光的有机电子器件例如组成显示器的发光二极管存在于许多不同种类的电子设备中。在所有的此类器件中,有机活性层均被夹置在两个电接触层之间。电接触层中的至少一层是透光的,以便光能够穿过该电接触层。当在整个电接触层上施加电流时,有机活性层透过该透光的电接触层发射光。在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分是众所周知的。已知简单的有机分子例如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物显示出电致发光特性。半导体共轭聚合物也被用作电致发光组分,如在美国专利5,247, 190、美国专利5,408,109和已公开的欧洲专利申请443 861中所公开的那样。在许多情况下,电致发光化合物作为掺杂剂而存在于基质材料中。持续需要用于电子器件的新型材料。专利技术概述本专利技术提供了具有至少一个氘取代基的吲哚并咔唑衍生物。本专利技术还提供了包括活性层的电子器件,所述活性层包含上述化合物。本专利技术还提供了电活性组合物,所述组合物包含(a)具有至少一个氘取代基的吲哚并咔唑衍生物,和(b)能够电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:D·D·莱克洛克斯
申请(专利权)人:EI内穆尔杜邦公司
类型:发明
国别省市:

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