无漏磁铁心自屏蔽式可控电抗器制造技术

技术编号:7182777 阅读:291 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及电网中提供无功功率的电力设备,具体的说是一种无漏磁铁心自屏蔽式可控电抗器。由铁心、绕组、续流二极管和晶闸管等部分构成,其特征是:所述铁心由硅钢片组合而成,在第一、第二组硅钢片上设通孔。所述晶闸管为IGBT(可控硅)。本实用新型专利技术的优点是:减小漏磁,从而降低夹件发热损耗,减少振动及产生的噪音;抑制谐波,控制脉冲根据计算产生,能大幅降低电抗器本身产生的谐波;提高响应速度,在不增加控制回路损耗的情况下,利用脉冲波对电感的快速充放电特性,可以提高电抗器响应速度。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电网中提供无功功率的电力设备,具体的说是一种无漏磁铁心自屏蔽式可控电抗器。技术背景电抗器按特性来分,可以分为固定电抗器和可控电抗器。固定电抗器是指在工作过程中电抗值保持不变的电抗器,而可控电抗器是指在工作过程中可以根据实际需要改变电抗值的电抗器。可控电抗器是在磁放大器的基础上发展起来的,20世纪50年代科学家把磁放大器的工作原理引入了电力系统。1986年前苏联学者提出了新型的磁阀式可控电抗器,通过改变小截面段磁路的饱和程度来改变电抗器的容量,使直流饱和式可控电抗器成为研究的热点,可控电抗器在俄罗斯和乌克兰得到了良好的应用。磁阀式可控电抗器是通过外加直流助磁来改变磁路的饱和程度,使铁心磁阻可变,从而实现电感值可调,磁阻大, 电感小,磁阻小,电感大。磁阀式可控电抗器的铁心分为两半,每个半铁心柱上对称的绕有两个绕组,铁心柱上下两个绕组各有一个抽头,它们之间接有可控硅,不同铁心的上下两个绕组交叉连接后并联到电网电源,续流二极管D则跨接在交叉端上。当可控硅不导通时,可控电抗器与空载器相同。当其导通时,两个可控硅在一个工频周波内轮流导通,构成全波整流,在电抗器中产生方向一致的直流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无漏磁铁心自屏蔽式可控电抗器,由铁心、绕组、续流二极管和晶闸管等部分构成,其特征是:所述铁心由硅钢片组合而成,在最内层一定厚度的硅钢片上设通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:魏殿杰赵磊贾明祥
申请(专利权)人:山东恒威电力设备有限公司
类型:实用新型
国别省市:37

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