晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型制造技术

一种晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型属于电力可控电抗器试验模型技术领域。该物理模型本体为单相三柱三绕组结构，三个绕组共心围绕在电抗器铁心中柱周围，三个绕组的上下端部与上下铁轭之间分别由一个磁压板，两个磁压板中心开孔，铁心中柱穿过两个磁压板的中心孔与上下铁轭相连；三个绕组由内至外依次为二次绕组、滤波绕组和一次绕组，其中二次绕组与反并联晶闸管相连，滤波绕组与滤除高次奇次谐波的滤波器组相连，一次绕组与交流电源相连。该低压物理模型能够很好的反映晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器的物理特性，为进行晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器相关试验研究提供了物理试验对象。

【技术实现步骤摘要】
晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型
本专利技术属于电力可控电抗器试验模型
，尤其涉及一种晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型。
技术介绍
为了满足未来电力增长的需求，需要采用特高压交流输电技术进行长距离、大规模的输电，然而特高压交流输电技术在提高电网输电能力和可靠性的同时，也带来了输电线路容性充电功率显著增加和系统潮流变化加剧的问题。从而致使特高压电网可能会产生比较严重的工频过电压和操作过电压，并导致特高压电网无功、电压控制的难度加大，由此需要配套相应的无功调节技术措施。普通高压并联电抗器和静止无功补偿器等传统的无功补偿装置大都无法同时满足过电压抑制和无功调节的需要，而可控并联电抗器可以很好的满足这一需求，因此可控并联电抗器是特高压电网中至关重要的无功补偿装置，有着非常广阔的应用前景。从特高压交流电网建设对可控并联电抗器的需求看，快速响应、低谐波和无功连续可调的晶闸管控制变压器型可控并联电抗器将是未来研究和发展的热点。为了在研制特高压晶闸管控制变压器型可控并联电抗器之前就对其相关运行控制策略进行测试，并掌握其各种工况下的运行特性，有必要建立特高压晶闸管控制变压器型可控并联电抗器的低压物理模型，从而可以利用低压物理模型进行相关试验研究，有效的促进特高压晶闸管控制变压器型可控并联电抗器的研制，而已有技术中还未见到相同或类似的晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型。
技术实现思路
针对上述
技术介绍
中提到的问题，本专利技术提出了一种晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型。本专利技术采用的技术方案为：该物理模型的本体为单相三柱三绕组结构，二次绕组、滤波绕组、一次绕组从内到外共心围绕在电抗器的铁心中柱周围；二次绕组、滤波绕组、一次绕组的上端部和下端部分别由一个磁压板覆盖，两个磁压板的中心开孔，铁心中柱的上下端分别穿过两个磁压板的中心孔与上铁轭以及下铁轭相连；两个磁压板与二次绕组、滤波绕组、一次绕组之间，以及磁压板与上铁轭、下铁轭之间分别设置绝缘件；二次绕组与反并联晶闸管相连组成回路，滤波绕组与滤除高次奇次谐波的滤波器组相连组成回路，一次绕组与交流电源相连组成回路。所述两个磁压板分别完全覆盖二次绕组、滤波绕组、一次绕组的上端面和下端面。所述磁压板的材料为硅钢片。所述物理模型的本体由上夹件和下夹件夹持，两个磁压板分别与上夹件和下夹件通过接地线相连。所述滤除高次奇次谐波的滤波器组由三次谐波滤波器、五次谐波滤波器和七次谐波滤波器并联组成，每个谐波滤波器均由串联的电容和电感组成。本专利技术的有益效果为：该低压物理模型能够很好的反映晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器的物理特性，为进行晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器相关试验研究提供了物理试验对象。附图说明图1为晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型的本体结构示意图；图2为晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型连接示意图。图中标号：1-铁心中柱；2-二次绕组；3-滤波绕组；4-一次绕组；5-上铁轭；6-磁压板；7-下铁轭。具体实施方式本专利技术提供了一种晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步说明。应该强调的是下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本专利技术的范围及其应用。如图1所示，晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型本体为单相三柱三绕组结构，二次绕组2、滤波绕组3和一次绕组4从内到外依次共心围绕在电抗器铁心中柱1周围；二次绕组2、滤波绕组3、一次绕组4的上端部和下端部分别由一个磁压板6完全覆盖，两个磁压板6为方形的中心开孔结构，铁心中柱1的上下端分别穿过两个磁压板6的中心孔与上铁轭5以及下铁轭7相连；两个磁压板6与二次绕组2、滤波绕组3、一次绕组4的上下端面之间，以及磁压板6与上铁轭5、下铁轭7之间分别设置绝缘件隔开；绝缘件与磁压板的形状一致。磁压板6的材料为硅钢片，晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型本体由上夹件和下夹件夹持，上磁压板与本体上夹件之间通过铜片相连，下磁压板与本体下夹件之间通过铜片相连。如图2所示，二次绕组2与一对由T1和T2组成的反并联晶闸管相连组成回路；滤波绕组3与滤除高次奇次谐波的滤波器组相连组成回路，该滤除高次奇次谐波的滤波器组由三次谐波滤波器、五次谐波滤波器和七次谐波滤波器并联组成，具体为：C3和L3串联构成三次谐波滤波器的电容和电感，C5和L5串联构成五次谐波滤波器的电容和电感，C7和L7串联构成七次谐波滤波器的电容和电感。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型，其特征在于：该物理模型的本体为单相三柱三绕组结构，二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)从内到外共心围绕在电抗器的铁心中柱(1)周围；二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)的上端部和下端部分别由一个磁压板(6)覆盖，两个磁压板(6)的中心开孔，铁心中柱(1)的上下端分别穿过两个磁压板(6)的中心孔与上铁轭(5)以及下铁轭(7)相连；两个磁压板(6)与二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)之间，以及磁压板(6)与上铁轭(5)、下铁轭(7)之间分别设置绝缘件；二次绕组(2)与反并联晶闸管相连组成回路，滤波绕组(3)与滤除高次奇次谐波的滤波器组相连组成回路，一次绕组(4)与交流电源相连组成回路。

【技术特征摘要】
1.晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型，其特征在于：该物理模型的本体为单相三柱三绕组结构，二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)从内到外共心围绕在电抗器的铁心中柱(1)周围；二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)的上端部和下端部分别由一个磁压板(6)覆盖，两个磁压板(6)的中心开孔，铁心中柱(1)的上下端分别穿过两个磁压板(6)的中心孔与上铁轭(5)以及下铁轭(7)相连；两个磁压板(6)与二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)之间，以及磁压板(6)与上铁轭(5)、下铁轭(7)之间分别设置绝缘件；二次绕组(2)与反并联晶闸管相连组成回路，滤波绕组(3)与滤除高次奇次谐波的滤波器组相连组成回路，一次绕组(4)与交流电源相连组成回路。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琳，杨光，张喜乐，刘力强，陈绍君，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：北京;11