测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法技术

本发明专利技术涉及一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、选择电池片一或电池片二，电池片一正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤四、制作封装后电池片试样，步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。本发明专利技术提供了一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及测试和制作被测样品的方法，具体指测试经过EVA和玻璃封装后电池片的光谱响应和反射率的方法。
技术介绍
太阳能电池能把光能转变为电能，但不同波长的光能转变为电能的比例是不同的，这种性质称为太阳能电池的光谱响应。光谱特性的测量是用一定强度的单色光照射太阳能电池，测量此时电池的短路电流，然后依次改变单色光的波长，再重复测量以得到在各个波长下的短路电流，即反映了电池的光谱特性。目前，在电池片的光谱响应方面有较多的研究，但是组件上并没有这一测试手段和方法，因此从电池片到组件的一些特性研究有些脱节。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有分析电池片到组件光谱特性技术的不足，而提供一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案一种测试晶硅组件即封装后电池片的光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤步骤一、选择电池片选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比， 步骤四、制作封装后电池片试样对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带露出玻璃，背面或依次叠层上EVA和背板，或不依次叠层上EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样， 步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致； 其次，对于封装后电池片一试样，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二试样，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。从上述技术方案可以看出，本专利技术不仅能够对比不同电池片封装后的反射率和光谱响应差异，及同一种电池片封装前后的光谱响应变化，也能对比同一种电池片用不同种类的玻璃和EVA封装后的光谱响应变化，从而定性地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。本专利技术的有益效果是本专利技术提供了一种对比电池片和组件光谱响应的方法，将电池片和组件联系起来，有利于对比电池片封装前和封装后的光谱特性，为研究电池片经封装后短路电流的变化提供了一个分析依据。从而定量地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。附图说明图1为本专利技术涉及的电池片一封装结构示意图。图2为本专利技术涉及的电池片二封装结构示意图。图中附图标记电池片一 11、电池片二 12 ； 焊带2 EVA 3 玻璃4。具体实施例方式本专利技术适用于不同结构的电池片，包括传统工艺晶硅电池片和非传统工艺晶硅电池片；电池片的规格可以任意，但是电池片上必须可以连接出正负极。下面附图是对本专利技术的进一步说明。步骤一、选择电池片选择两种不同结构的电池片电池片一和电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面步骤二、制作封装前电池片试样在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样；步骤三、测试封装前电池片的光谱响应和反射率曲线测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，测试时需要简单改造光谱响应设备，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比；步骤四、制作封装后电池片试样将步骤三测试完的电池片试样用玻璃和EVA封装起来。对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带需露出玻璃约2cm，背面不需要EVA和背板，结构见图 1，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带需露出玻璃约2cm，背面可以依次叠层上EVA和背板，也可以不用，结构见图2，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样。步骤五、测试封装后电池片的光谱响应和反射率曲线测试封装后电池片的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次， 对于封装后电池片一，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二，测试时也需要简单改造光谱响应设备，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连。步骤六、对比封装前、后电池片一和电池片二的光谱曲线和反射率曲线最后对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。(1)玻璃和EVA对电池片有一定的减反射效果； (2)封装后电池的电流要比封装前高一些。权利要求1. 一种，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤步骤一、选择电池片选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比， 步骤四、制作本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、选择电池片选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比，步骤四、制作封装后电池片试样对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上ＥＶＡ和玻璃，焊带露出玻璃，背面不需要ＥＶＡ和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上ＥＶＡ和玻璃，两根焊带露出玻璃，背面或依次叠层上ＥＶＡ和背板，或不依次叠层上ＥＶＡ和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样，步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一试样，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二试样，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔虹桥，郭志球，顾斌峰，刘强，张斌，邢国强，
申请(专利权)人：江阴鑫辉太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：32