独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的技术制造技术

一种独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的技术。在一特定的例示性实施例中，所述技术可实现为一独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的装置。此装置可包括一电极结构，此电极结构包括位于离子束上方的一组上电极与位于离子束下方的一组下电极。此组上电极与此组下电极是以对称于离子束的中央射线轨迹而定位。此组上电极与此组下电极之间的电位差亦可随着离子束的中央射线轨迹而改变，藉以反映中央射线轨迹上每一点的离子束能量，以独立地控制离子束偏移、减速与聚焦。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种离子注入技术，尤其涉及一种独立控制离子束的偏移、减速和/ 或聚焦的技术。
技术介绍
离子注入机(ion implanter)广泛用于半导体制造中以选择性地改变材料的导电性。在一典型的离子注入机中，从一离子源产生的离子被导向通过一系列束线元件，所述的束线组件包含一或多个分析磁铁(analyzing magnet)以及多个电极。分析磁铁选择所要的离子种类，滤出污染种类(contaminant species)以及不具有所需能量的离子，且调整目标晶圆处的离子束品质。适当成形的电极可修改离子束的能量以及形状。图1显示现有离子注入机100，其包括离子源102、提取电极104、90°磁铁分析器 (magnet analyzer) 106、第一减速(Dl)级(first deceleration (Dl) stage) 108,70° 磁铁分析器110以及第二减速(皿)级112。D1以及D2减速级(亦称为“减速透镜(deceleration lens)”)分别由具有允许离子束通过的界定孔的多个电极所组成。藉由向多个电极施加不同组合的电压电位，Dl以及D2减速透镜可操纵离子能量且本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种装置，用以独立控制离子束的偏移、减速与聚焦，所述装置包括：一电极结构，包括配置于一离子束上方的一组上电极与配置于该离子束下方的一组下电极，其中该组上电极与该组下电极具有固定位置且不可移动，且其中该组上电极与该组下电极之间的电位差随着该离子束的一中央射线轨迹而改变，以反映沿着该中央射线轨迹上每一点的该离子束的能量，藉以独立地控制该离子束的偏移、减速与聚焦。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼德·L·凯勒曼，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US