【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求Martin A. Hilkene等人2009年1月沈号申请的“REDUCING PHOTORESIST LAYER DEGRADATION IN PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION(降低光刻胶层在等离子体浸没式离子注入中降解)，，的美国临时申请61/206，075的优先权。背景等离子体浸没式离子注入已成为离子束注入的极其有效的替代方案。将诸如半导体晶片的工件浸没于含有待被离子注入的化学物种(例如掺杂物)的气体所形成等离子体中。对于用于半导体中的掺杂物种而言，该工艺气体可为诸如砷、硼或磷的掺杂物种的氢化物或氟化物。该离子注入剂量率为该等离子体离子密度的函数，而该离子注入深度分布为施加至该工件的偏置电压的函数。如本文所使用，术语“离子注入剂量”指该工件注入层中经离子注入的原子的浓度，该浓度通常以每立方厘米的原子为单位来测量。术语“剂量率 (dose rate)”指在离子注入期间，剂量的增加的时间。在一些应用中，该离子注入根据由光刻工艺所沉积的光刻胶掩模建立在工件表面上的预设图案来执行。在此状况下，该光刻胶掩模...
【技术保护点】
１．一种用于工件的等离子体浸没式离子注入方法，该工件在其顶表面上具有光刻胶层，该方法包含以下步骤：执行数个连续离子注入子步骤，每一个所述离子注入子步骤都具有一段持续时间，在该段持续时间期间，通过移除氢所造成的转变通常限于该光刻胶层的顶部分；在每一个所述连续离子注入子步骤之后，通过执行灰化子步骤而移除所述顶部分，并且同时将所述光刻胶层的剩余部分留在原位置；其中所述连续离子注入子步骤的数目足以达到所述工件的区域中的预设离子注入剂量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·A·希尔金，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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