【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用双重成像构图在器件上形成精细光致抗蚀剂图案的方法以及通过增加所述光致抗蚀剂图案的尺寸而缩小图案化光致抗蚀剂特征之间的空间尺寸的方法。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于缩微光刻方法，这些方法例如在计算机芯片和集成电路的制造中用于制造小型化电子元件。通常，在这些方法中，首先将光致抗蚀剂组合物的薄涂膜施加于基材材料上，例如用于制造集成电路的硅晶片上。然后烘烤该已涂覆的基材以使该光致抗蚀剂组合物中的任何溶剂蒸发并将涂层固定到基材上。该涂覆在基材上的光致抗蚀剂接下来经历暴露在辐射下的成像式曝光。该辐射曝光导致该涂覆表面的曝光区域发生化学转变。可见光、紫外(UV)光、电子束和X射线辐射能是目前在缩微光刻方法中常用的辐射类型。在这种成像式曝光之后， 任选地烘烤经涂覆基材，然后用显影剂溶液处理以溶解和除去经辐射曝光的正性光致抗蚀剂。正性作用光致抗蚀剂当它们对辐射成像式曝光时会使该光致抗蚀剂组合物对辐射曝光的那些区域变得更加可溶于显影剂溶液，而没有曝光的那些区域保持相对不可溶于显影剂溶液。因此，用显影剂对经曝光的正性作用光致抗蚀剂的处理使得涂层的曝光区域被除去和在...
【技术保护点】
１．在器件上形成双重光致抗蚀剂图案的方法，包括：ａ）在基材上由第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂的层；ｂ）将所述第一光致抗蚀剂成像式曝光；ｃ）将所述第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；ｄ）用硬化性组合物处理所述第一光致抗蚀剂图案，所述硬化性组合物包含聚合物、硬化性化合物、任选的表面活性剂、任选的热酸产生剂和选自水、有机溶剂或它们的混合物的溶剂，从而形成经硬化的第一光致抗蚀剂图案；ｅ）在所述基材的包括所述经硬化的第一光致抗蚀剂图案的区域上由第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层，ｆ）将所述第二光致抗蚀剂成像式曝光；和ｇ）将所述成像式曝光的第二光致抗蚀剂显影以在所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹毅，
申请(专利权)人：AZ电子材料美国公司，
类型：发明
国别省市：US
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