【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种模板、一种形成用于光刻的高深宽比模板的方法、以及这种模板 在纳米级基板射孔中的应用。
技术介绍
迄今为止，CMOS器件的微型化一直遵循通常被称为摩尔定律的趋势，其中电子组 件的尺寸每两年缩小一半。国际半导体技术发展线路图(ITRS)已经依据这个模型建立了 预计增长曲线。依据该进展速率随之产生的对速率、高集成度、高性能和低生产成本的需求 是非常严峻的。于是，与减少特征尺寸的需求相关的问题已经升级，这些问题中，在纳米级 光刻转移图案较突出。因此，对于这些将在不久将来最终阻碍硅技术发展的问题，需要寻找 替代方案。这就意味着制定低成本、大规模生产兼容图案转移方案的新方法对于维持预计 增长率是关键的。在集成电路生产中光刻是一道重要的工艺，光刻用于在层与层之间转移 图案。当今广泛使用的光学光刻技术是逼近其由光学、波长、镜头等支配的基本限度，而且 不得不依赖昂贵的设备来应付当前需求。对该传统光刻方法的一种替代是专利US5772905 中描述的纳米压印光刻，其中将具有纳米级特征的印章压入热塑性聚合物中。这个具体专 利中，通过蚀刻制作印章以创建将被转移的图案，典...
【技术保护点】
１．一种模板，其特征在于，包括：底层基板；和沉积在所述底层基板上的催化层，其中从确定光刻形貌的所述催化层生长至少一个纳米结构，所述纳米结构的深宽比受纳米结构的生长所控制，所述至少一个纳米结构具有的强度足以维持所述纳米结构在垂直压力下的所述光刻形貌。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿明·萨利姆·穆罕默德，
申请(专利权)人：斯莫特克有限公司，
类型：发明
国别省市：SE
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